[发明专利]一种基于双隧穿晶体管的半浮栅存储器及其制备方法

摘要

本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种基于双隧穿晶体管的半浮栅存储器。本发明的半浮栅存储器包括：有U型槽的半导体衬底；第一栅介质层覆盖U型槽的表面；浮栅覆盖第一栅介质层，并形成中间高、两边低的凸起形状；隧穿晶体管沟道层覆盖浮栅的中间凸起上表面；第二栅介质层形成在隧穿晶体管沟道层两侧并延伸覆盖浮栅表面，控制栅覆盖第二栅介质层和所述隧穿晶体管沟道层上表面；栅极侧墙位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源区和漏区形成于半导体衬底中、位于第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧，源区具有第一掺杂类型，漏区具有第二掺杂类型。本发明能够有效降低半浮栅存储器的工作电压和功耗。