[发明专利]光罩遮蔽结构、极紫外线仪器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202010362158.9 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN112596336A 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 许青翔;黄正吉;徐丰源 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F1/22 分类号: G03F1/22;G03F1/38;G03F1/82
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 李春秀
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明实施例涉及光罩遮蔽结构、极紫外线仪器及其形成方法。本发明一些实施例提供一种光罩结构。所述光罩结构包含磁性衬底及安置在所述磁性衬底上的顺磁性部分。所述磁性衬底具有磁场,且所述顺磁性部分具有所述磁性衬底的所述磁场的方向上的感应磁场。所述顺磁性部分包含由所述顺磁性部分的多个突起结构界定的粗糙表面。本发明一些实施例还提供一种用于形成光罩结构的方法及一种极紫外线仪器。
搜索关键词: 遮蔽 结构 紫外线 仪器 及其 形成 方法
【主权项】:
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