[发明专利]修复闪存的控制电路及修复闪存的方法有效
| 申请号： | 202010300343.5 | 申请日： | 2020-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111508545B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种修复闪存的控制电路及修复闪存的方法。所述修复闪存的控制电路包括分别用于接收并处理偶数行冗余子块的选择信号、奇数行冗余子块的选择信号和损坏的存储子块的行方向次低位地址信号后分别输出第一逻辑信号和第二逻辑信号的第一逻辑模块和第二逻辑模块，第三逻辑模块接收并处理第一逻辑信号和第二逻辑信号后输出内外侧交换控制信号，内外侧交换控制信号与计划施加在损坏存储子块上的高压控制信号进行异或运算得到施加在替换冗余子块上的位线高压控制信号。所述修复闪存的控制电路可使奇数行冗余子块和偶数行冗余子块均能够替换损坏的存储子块，提高了冗余子块的利用率。本发明还提供一种修复闪存的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 闪存 控制电路 方法 | ||
【主权项】：
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