[发明专利]一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法

摘要

本发明涉及单质钯薄膜制作方法技术领域，且公开了一种原子层沉积技术制备单质钯薄膜的方法，所述方法包括钯前驱体和肼类还原性前驱体，钯前驱体可采用六氟乙酰丙酮钯Pd(hfac)2，肼类还原性前驱体可采用无水肼、甲基肼、乙基肼、丙基肼、叔丁基肼等等C1‑C5的烃链还原性前驱体，肼类还原剂结构式为R1R2N‑NR3R4，其中R1、R2、R3、R4包括氢原子、C1‑C5的烃链，R1、R2、R3、R4可以相同也可以不同。本发明选用肼类还原剂为还原性前驱体，可以直接利用热型原子层沉积技术即可沉积单质钯薄膜，优于现有技术中所采用的等离子氢气、氧气、臭氧等气体，更方便、更安全、更容易操作，既可以避免等离子氢气、等离子氨气等操作上的不便，又可简化单质钯薄膜的制备工艺，节约成本。