[发明专利]半导体硬掩膜薄膜制备方法

摘要

本发明提供一种半导体硬掩膜薄膜制备方法，所述方法包括：构建腔室环境，将所述反应腔室进行抽真空，以使所述反应腔室的压力达到第一设定压力值；将待沉积含氮化合物薄膜的晶片传入所述反应腔室内的基座上，将所述基座加热至预设温度值；启辉步骤，向反应腔室通入氮气，直至所述反应腔室的压力达到第二设定压力值，开启直流电源，以向靶材加载直流功率，启辉促使氮气离化，产生等离子体；溅射步骤，保持所述直流电源处于开启状态；开启射频电源，以向基座加载射频功率，以使所述等离子体对所述含氮化合物薄膜的晶片的表面进行轰击。通过本发明，可以获得密度应力可调的高质量的薄膜。