[发明专利]反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法有效
| 申请号： | 202010166234.9 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111244037B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张志向;邓春茂 | 申请（专利权）人： | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L27/08;H02M7/06 |
| 代理公司： | 兰州锦知源专利代理事务所(普通合伙) 62204 | 代理人： | 勾昌羽 |
| 地址： | 741000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法，步骤为：a、衬底硅片清洗b、初始氧c、埋层光d、注入砷e、砷退火f、漂片g、清洗：h、初始氧化i、下隔离光刻j、注入硼，k、下隔离推结m、漂片n、清洗o、外延，P、衬底硅片清洗Q、初始氧化R、上隔离光刻T、硼扩散U、隔离扩散V、漂硼硅玻璃W、清洗X、氧化Y、N+光刻Z、清洗AA、磷扩散BB、磷再扩散CC、P+环光刻DD、硼离子注入EE、退火FF、引线孔光刻GG、清洗HH、Ni势垒金属蒸发II、硅化物形成JJ、Ni硅化物腐LL、正面金属Al蒸发MM、金属反刻。优点：采用这种工艺电路一致性好，封装体积小，封装良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 电压 40 60 整流 电路 集成 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天水天光半导体有限责任公司，未经天水天光半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010166234.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
