[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010155794.4 | 申请日： | 2020-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112086433A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/423;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基层，该基层具有一顶表面以及多个处理区。一主要图案配置在该基层的该顶表面上，其中该主要图案具有一图案顶表面、位在该图案顶表面上的多个处理区，以及一侧壁，该主要图案具有一第一临界尺寸，所述处理区位在该基底的该顶表面通过该主要图案而暴露的该部分上。一次要图案配置在该主要图案的该侧壁上，其中该次要图案具有一第二临界尺寸，该第二临界尺寸小于该第一临界尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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