[发明专利]非易失性存储电路及其存储方法和读取方法在审
| 申请号： | 202010146444.1 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113362871A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘盼盼;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储电路及其存储方法和读取方法，所述非易失性存储电路包括：自旋轨道动量矩磁存储器，所述自旋轨道动量矩磁存储器包括自旋霍尔效应层、第一磁性隧道结和第二磁性隧道结，所述自旋霍尔效应层具有相对的第一面和第二面，所述第一磁性隧道结位于所述第一面上，所述第二磁性隧道结位于所述第二面上，所述自旋霍尔效应层还包括第一端和第二端；第一位线；第二位线；第三位线；第四位线；开关组件，所述开关组件使所述第一端与所述第一位线耦接，使所述第二端与所述第二位线耦接，并且，所述开关组件使所述第一磁性隧道结与所述第三位线耦接，使所述第二磁性隧道结与所述第四位线耦接。从而，减少了存储器的成本并提高了存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 电路 及其 方法 读取 | ||
【主权项】：
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