[发明专利]阻变存储器及其制作方法

摘要

一种阻变存储器及其制作方法，其中阻变存储器包括：衬底；依次位于所述衬底之上的：第一电极、阻变介质层、阻挡层兼隧穿层以及第二电极；其中，所述阻挡层兼隧穿层包括多层二维材料，所述二维材料为如下材料的一种：HBN、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2或WTe2。将上述多层二维材料插入第二电极和阻变介质层之间，置位过程中，可有效阻挡和限制氧离子扩散进入第二电极并与其发生氧化反应，减少氧离子的消耗，同时利用二维材料隧穿作用提高低阻态电阻。在复位过程中，不需要第二电极作为储氧层来提供氧离子，在不施加大电压产生大电流的情况下，会有足够多的氧离子参与氧空位的复合，可以实现完全复位。整体提升了器件的循环特性并且降低了编程能耗。