[发明专利]二维器件真空制备系统及其方法有效
| 申请号： | 202010129757.6 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327866B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 郭帅斐;杨昉原;马立国;张远波 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/34;H01L21/443 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 谷达;吴敏 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二维器件真空制备系统及其方法。所述二维器件真空制备系统包括：预抽真空单元，用于传递二维材料，并包括用于进行抽真空的第一抽气装置；器件制备单元，能够与所述预抽真空单元相连通或断开，用于解离所述二维材料，并包括用于进行抽真空的第二抽气装置；电极蒸镀和薄膜生长单元，能够与所述器件制备单元相连通或断开，用于制作二维器件的电极，并包括用于进行抽真空的第三抽气装置；监控单元，用于对所述二维器件真空制备系统内二维器件的制备进行实时观察；以及自动化控制单元，用于对所述二维器件真空制备系统内二维器件的制备进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 器件 真空 制备 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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