[发明专利]芯片的切割成型方法以及晶圆有效

专利信息
申请号: 202010122841.5 申请日: 2020-02-27
公开(公告)号: CN111298853B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 聂泳忠;刘晓敏;林祖鉴;林灿辉;陈世伟;赖凯昌;王津鑫;叶新文 申请(专利权)人: 西人马联合测控(泉州)科技有限公司
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;B81C1/00;B81C99/00
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 臧静
地址: 362000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种芯片的切割成型方法以及晶圆,切割成型方法包括如下步骤:提供阵列基体,包括底板、分布于底板的导槽及多个具有孔道的芯片单元,导槽与各芯片单元的孔道连通,底板具有与导槽间隔设置的底面以及环绕底面设置的外周面,导槽贯穿外周面并形成开口;在底板上键合盖板并共同形成待灌注体。由导槽的开口向待灌注体内注入呈液体状态的填充材料,使得填充材料至少填充于各芯片单元的孔道并固化,形成晶圆;切割晶圆并形成多个切割体,去除各切割体的填充材料,以成型具有孔道的芯片。本发明实施例提供的芯片的切割成型方法以及晶圆,能够满足芯片的切割成型要求,同时能够避免碎屑进入芯片的孔道内,保证芯片的性能。
搜索关键词: 芯片 切割 成型 方法 以及
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