[发明专利]具有外部功率传感器的半导体模块在审

专利信息
申请号: 202010076590.1 申请日: 2020-01-23
公开(公告)号: CN111490150A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: J·赫格尔;L·艾希里德勒;C·施魏克特;G·弗里斯内格尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;H01L43/08;H01L23/473;H01L25/16;H01L21/50;G01R19/00;G01R21/00;G01R33/07;G01R33/09
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 邬少俊
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种半导体模块,其包括:半导体管芯;包围所述半导体管芯的模制化合物;多个端子,其电连接到所述半导体管芯并从所述模制化合物突出出来,其中,所述端子中的第一端子具有被所述模制化合物覆盖的收缩区域,其中,所述模制化合物在所述第一端子的所述收缩区域附近具有凹陷或开口;以及无芯磁场传感器,其设置在所述模制化合物的所述凹陷或所述开口中并通过所述模制化合物与所述第一端子隔离。所述无芯磁场传感器被配置为响应于由在所述第一端子的所述收缩区域中流动的电流产生的磁场而产生信号,所述信号的大小与在所述第一端子的所述收缩区域中流动的电流的量成比例。还描述了一种制造模块的方法。
搜索关键词: 具有 外部 功率 传感器 半导体 模块
【主权项】:
暂无信息
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