[发明专利]一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法有效
| 申请号： | 202010060218.1 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111155065B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李强;白云鹤;张启凡;秦潇;云峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法，通过磁控溅射的方式制备出六方氮化硼薄膜(h‑BN薄膜)，并采用溶液浸泡的物理方法，实现快速大面积的完整剥离。通过去离子水或碱性溶液的不同配比实现对h‑BN薄膜剥离速度的控制。本发明利用磁控溅射的方式制备h‑BN薄膜，工艺简单，且能够实现大面积均匀制备，易实现产业化生产，同时该剥离方法能够实现大面积完整无损剥离，剥离速度可控，为研究h‑BN薄膜特性及制备垂直结构大功率深紫外LED器件提供了重要基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制备 剥离 转移 方法 | ||
【主权项】：
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