[发明专利]一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法

权利要求书

1.一种六方氮化硼薄膜的制备剥离方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)、将清洁干净的生长衬底放入溅射腔室内，升温至溅射温度，并在特定气氛下磁控溅射在衬底上沉积第一层h-BN薄膜(2)；

步骤2)、溅射完成第一层h-BN薄膜(2)后，生长衬底(1)在真空中自然冷却至室温；再次对溅射腔室升温至溅射温度，并在特定气氛下磁控溅射在第一层h-BN薄膜(2)上沉积第二层h-BN薄膜(3)；

步骤3)、溅射完成第二层h-BN薄膜(3)后，生长衬底(1)在真空中自然冷却至室温取出；

步骤4)、将生长衬底(1)转移到具有去离子水或者碱性溶液的容器(5)中浸泡，第二层h-BN薄膜(3)从第一层h-BN薄膜(2)上脱落，获得剥离的第二层h-BN薄膜(3)；

特定气氛为向溅射腔室内充入氮气与氩气的混合气体，氮气与氩气的气体流量比为30:10sccm。

2.根据权利要求1所述的一种六方氮化硼薄膜的制备剥离方法，其特征在于，步骤1)中溅射温度为600℃；磁控溅射时溅射靶材的功率为250～400W，溅射工作压强为0.5～0.7Pa，靶间距为100～150mm，真空度为5×10^-4Pa，溅射时间大于等于1.5h；第一层h-BN薄膜(2)的厚度为150～200nm；第二层h-BN薄膜(3)的厚度为100～200nm。

3.根据权利要求1所述的一种六方氮化硼薄膜的制备剥离方法，其特征在于，步骤4)中碱性溶液的浓度范围为0.05～1mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种六方氮化硼薄膜的制备剥离方法，其特征在于，步骤4)中浸泡的时间为3～48h。

5.根据权利要求1所述的一种六方氮化硼薄膜的制备剥离方法，其特征在于，溅射完成第一层h-BN薄膜(2)后，生长衬底(1)在真空中自然冷却至室温，静置12h后再次对溅射腔室升温至溅射温度，并在特定气氛下磁控溅射在第一层h-BN薄膜(2)上沉积第二层h-BN薄膜(3)。

6.根据权利要求1所述的一种六方氮化硼薄膜的制备剥离方法，其特征在于，剥离的第二层h-BN薄膜(3)的面积为0.5～2英寸。