[发明专利]功率半导体模块、流路部件及功率半导体模块结构体在审

专利信息
申请号: 202010057550.2 申请日: 2016-06-16
公开(公告)号: CN111162060A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 小山贵裕;乡原广道 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H01L23/367;H01L23/40;H01L23/473
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 杨敏;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的功率半导体模块具备:金属基底板,其具备第一面和第二面;冷却壳体,其具有底壁和形成于上述底壁的周围的侧壁,上述侧壁的一端接合到上述金属基底板的第二面,在被上述金属基底板、上述底壁和上述侧壁围起来的空间内能够使冷却液流通,上述冷却壳体连接到上述底壁和上述底壁中的任一个,并且具有沿着上述金属基底板的第二面的周边配置的冷却液的入口部和出口部,具备配置于上述入口部的导入口侧的第一凸缘和配置于上述出口部的排出口侧的第二凸缘。
搜索关键词: 功率 半导体 模块 部件 结构
【主权项】:
暂无信息
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