[发明专利]构件半导体结构有效
| 申请号： | 202010036623.X | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111435701B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | M·科尼尔斯;M-C·韦基 | 申请（专利权）人： | TDK-迈克纳斯有限责任公司 |
| 主分类号： | H10N52/80 | 分类号： | H10N52/80;H10N52/00;H10N59/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有半导体层的构件半导体结构，半导体层具有正侧和背侧，在正侧上构造至少一个集成电路，在背侧上构造彼此材料锁合地连接的第一氧化物层和第二氧化物层，设置具有表面和背面的单片构造的半导体本体，半导体本体布置构造在表面和背面之间的传感器区域，传感器区域具有三维等向性霍尔传感器结构，霍尔传感器结构从掩埋的下方面延伸至上侧，在表面上构造至少三个第一高掺杂半导体接通区域，在下方面上分别构造至少三个第二高掺杂半导体接通区域，每个第一半导体接通区域借助对应的第一连接接通部连接，每个第二半导体接通区域借助对应的第二连接接通部连接，在垂直于表面的投影中第一半导体接通区域相对与第二半导体接通区域错位地布置。 | ||
| 搜索关键词： | 构件 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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