[发明专利]用于形成多层水平NOR型薄膜存储器串的方法在审
| 申请号： | 201980080340.0 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN113169170A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | S.B.赫纳;W-Y.H.钱;J.周;E.哈拉里 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/00;H01L21/02;H01L27/02;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 各种方法克服了局限性，并且通过以下来实现出色的缩放(i)用具有较低挑战性的纵横比的两个或更多个蚀刻步骤替换高度挑战性的高纵横比的单个蚀刻步骤，并且涉及更宽和机械稳定性更高的有源条带，(ii)在高纵横比蚀刻步骤和后续处理步骤中使用电介质支柱来支撑和保持结构稳定性，或(iii)使用多个遮蔽步骤以提供具有较低挑战性的纵横比的两个或更多个蚀刻步骤，并且涉及更宽且机械稳定性更高的有源条带。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 多层 水平 nor 薄膜 存储器 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
