[发明专利]蚀刻处理装置、蚀刻处理方法及检测器有效
| 申请号： | 201980004087.0 | 申请日： | 2019-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN111801774B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 江藤宗一郎;峯邑浩行;臼井建人 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在蚀刻处理中的晶片的膜厚/深度测定中，由于光源的光量波动、光通过的区域的空气的波动等而在检测光量中产生变动，膜厚/深度的测定精度下降，因此，根据在蚀刻处理中的各时刻测定的分光光谱而算出任意的波长的总光量或平均光量，算出使用比当前时刻靠前测定出的总光量或平均光量而推断的当前时刻的推断总光量或推断平均光量，算出当前时刻的总光量与推断总光量之比或者平均光量与推断平均光量之比，即变化率，使用算出的变化率来修正当前时刻的各波长的光量，使用修正后的各波长的光量来实施膜厚/深度测定。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 处理 装置 方法 检测器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
