[发明专利]微发光二极管、阵列基板、显示设备和制造阵列基板的方法在审
| 申请号： | 201980000887.5 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN112424941A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张振华;汪杨鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种微发光二极管。微发光二极管包括：基底基板；第一电极，其位于基底基板上；第一类型掺杂半导体层，其位于第一电极的远离基底基板的一侧；量子阱层，其位于第一类型掺杂半导体层的远离第一电极的一侧；第二类型掺杂半导体层，其位于量子阱层的远离第一类型掺杂半导体层的一侧；以及，第二电极，其位于第二类型掺杂半导体层的远离量子阱层的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 显示 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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