[实用新型]逻辑器件及存储器有效
| 申请号： | 201920992480.2 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210403772U | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 叶建国 | 申请（专利权）人： | 叶建国 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/10;H01L43/08;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 063100 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种逻辑器件，该逻辑器件从下至上依次包括：柔性衬底，非磁缓冲层，耦合层，磁性缓冲层，多铁层和电极层；其中，耦合层为超薄膜，以实现反常霍尔效应和拓扑霍尔效，电极层包括十字结构，通过改变施加在非磁缓冲层与电极层之间电压的方向，改变十字结构的其中一组相对端之间的霍尔电阻。具体地，衬底为柔性衬底，具有抗挤压、可弯曲等优点，该器件采用了反常霍尔效应和拓扑霍尔效应原理，具有高灵敏性且不易失真的特性，不仅有效降低了对自旋轨道耦合效应进行调控所需的电压，还可结合外部磁场实现逻辑非运算功能，进一步地，还可基于此逻辑器件制作出相应的存储器件。 | ||
| 搜索关键词： | 逻辑 器件 存储器 | ||
【主权项】：
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