[实用新型]一种耐用的碳化硅肖特基二极管有效
| 申请号： | 201920378123.7 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN210092065U | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 关世瑛 | 申请（专利权）人： | 上海芯石半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种耐用的碳化硅肖特基二极管，包括碳化硅二极管外壳，碳化硅二极管外壳为L形结构，碳化硅二极管外壳的一侧设有若干个碳化硅二极管管脚，碳化硅二极管外壳的两侧对称设有碳化硅二极管散热片，碳化硅二极管外壳的L形台阶的顶端中间位置设有通孔，碳化硅二极管外壳的外部设有保护组件，保护组件包括套设于碳化硅二极管外壳外部的保护套一和位于保护套一一侧的保护套二，保护套一靠近保护套二的侧边设有卡环。有益效果：进而实现对二极管平铺过程，降低二极管在运送的过程中互相碰撞导致二极管出现损坏的可能，进而延长了二极管的使用寿命，同时提高了二极管的收纳能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐用 碳化硅 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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