[实用新型]一种闪存存储器有效
| 申请号： | 201920246009.9 | 申请日： | 2019-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN209447553U | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陶胜 | 申请（专利权）人： | 成都豆萁集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市天玺沐泽专利代理事务所(普通合伙) 11532 | 代理人： | 鲍晓 |
| 地址： | 611730 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请提供一种闪存存储器，该存储器包括电位校正模块、存储单元，将电位校正模块的输出端与存储单元中浮栅场效应管的电位输出端连接，通过电位校正模块向浮栅场效应管的电位输出端输出校正信号，浮栅场效应管的电位输出端的电位稳定后，输出存储的数据。通过向存储单元的浮栅场效应管的电位输出端输出校正信号，产生较大电流使浮栅场效应管在短时间内充电，浮栅场效应管的电位输出端的电位稳定的时间缩短，因而可以加快数据读取。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应管 电位 浮栅 存储单元 电位校正 输出端 闪存存储器 电位稳定 输出校正 输出端连接 时间缩短 输出存储 数据读取 存储器 输出 大电流 充电 申请 | ||
【主权项】：
1.一种闪存存储器，其特征在于，所述存储器包括：存储单元、电位校正模块；所述存储单元包含具有电位输出端的浮栅场效应管；所述电位校正模块具有第一校正信号输出端；所述第一校正信号输出端与所述浮栅场效应管的电位输出端连接。
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