[发明专利]BCB厚度的在片监测与控制方法及装置在审
| 申请号： | 201911405649.0 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111063627A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 戴姜平;任春江;戴鹏飞;李征;常龙;姚靖懿 | 申请（专利权）人： | 中电国基南方集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06;G01N21/21;G01N21/41 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 211153 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BCB厚度的在片监测与控制方法及装置，方法包括：在外延片上制备监控图形；将BCB胶旋涂在基片表面并加热固化；采用微区反射干涉法测试BCB层厚度；采用干法刻蚀工艺对BCB层进行刻蚀，重复测试监控区域的BCB厚度；所述监测方法能够快速获得晶圆上不同区域的BCB厚度，而且不会损伤晶圆表面。本发明能够用于InP HBT器件的BCB平坦化工艺，可实现BCB厚度的在片实时监测，有效提高生产效率；通过设置特定的监测图形来进行工艺控制监控，实现对不同区域BCB厚度的实时监控，有效提升工艺控制能力。 | ||
| 搜索关键词： | bcb 厚度 监测 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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