[发明专利]三维存储器栅极叠层缺陷的测试方法及测试装置有效
| 申请号： | 201911380001.2 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111145824B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 闾锦;黄开谨;刘刚 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C29/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器栅极叠层缺陷的测试方法及测试装置，属于半导体设计制造及测试领域，该测试方法包括步骤：提供三维存储器栅极叠层，栅极叠层具有沟道孔，沟道孔中具有存储器膜及多晶硅沟道，沟道孔至少具有一孔径自栅极叠层的顶部向底部减小的沟道部；以及在栅极叠层与多晶硅沟道之间施加多个应力电压，应力电压随沟道部孔径的减小而减小。本发明在对栅极叠层缺陷电应力筛选时，根据通道孔的实际形貌在栅极叠层与多晶硅沟道之间施加多个应力电压，应力电压随沟道孔孔径的减小而减小，使得尺寸大的存储区域相应的应力电压大，尺寸小的存储区域相应的应力电压小，从而实现各个存储层的应力电场基本一致。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 栅极 缺陷 测试 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911380001.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
