[发明专利]半导体装置及其制备方法有效
| 申请号： | 201911301083.7 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112992835B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 赵健康;史波;廖童佳 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 宋少娜;颜镝 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制备方法。其中，半导体装置包括半导体组件，半导体组件包括：芯片，包括相对设置的第一侧面和第二侧面，第一侧面设有至少一个电极区和非电极区，至少一个电极区的每个电极区内设有电极；至少一个电极区包括第一电极区；胶膜层，设于非电极区；第一电连接件，包括第一接合部，第一接合部与胶膜层粘接，第一电连接件、第一电极区，以及第一电极区周围的胶膜层共同形成空腔，第一电连接件与空腔相对应的位置设有通孔；以及导电结合件，设于空腔以及通孔内，且将第一电连接件与芯片接合。本发明可缓解导电结合材料的四溢以及空洞或气泡的产生，使芯片与第一电连接件之间的接合更紧密，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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