[发明专利]静电保护结构和静电保护电路在审
申请号: | 201911263997.9 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN112951820A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 雷玮;李宏伟;程惠娟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种静电保护结构和静电保护电路,所述静电保护结构用于对耐压容忍电路提供静电保护,所述耐压容忍电路包括:电源电压端,用于加载电源电压;外接输入端,用于接收外部电压信号;所述电源电压端和外接输入端之间连接有第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管的掺杂区形成在衬底的同一阱区中;所述静电保护结构包括:第一静电释放响应电路,连接于电源电压端和阱区之间,用于在电源电压端向外接输入端释放静电时,触发电源电压和阱区之间静电释放通路;第二静电释放响应电路,连接于外接输入端和阱区之间,用于在外接输入端向电源电压端释放静电时,触发外接输入端和阱区之间静电释放通路。本发明能优化静电保护效果。 | ||
搜索关键词: | 静电 保护 结构 电路 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的