[发明专利]静电保护结构和静电保护电路在审

专利信息
申请号: 201911263997.9 申请日: 2019-12-11
公开(公告)号: CN112951820A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 雷玮;李宏伟;程惠娟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 高静
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种静电保护结构和静电保护电路,所述静电保护结构用于对耐压容忍电路提供静电保护,所述耐压容忍电路包括:电源电压端,用于加载电源电压;外接输入端,用于接收外部电压信号;所述电源电压端和外接输入端之间连接有第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管的掺杂区形成在衬底的同一阱区中;所述静电保护结构包括:第一静电释放响应电路,连接于电源电压端和阱区之间,用于在电源电压端向外接输入端释放静电时,触发电源电压和阱区之间静电释放通路;第二静电释放响应电路,连接于外接输入端和阱区之间,用于在外接输入端向电源电压端释放静电时,触发外接输入端和阱区之间静电释放通路。本发明能优化静电保护效果。
搜索关键词: 静电 保护 结构 电路
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911263997.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top