[发明专利]一种制备半导体石墨晶圆的方法及其应用有效
| 申请号： | 201911159264.0 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111081532B | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李四中 | 申请（专利权）人： | 华侨大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/16 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 362000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备硼或氮掺杂半导体石墨晶圆的方法，采用旋涂含有硼或氮的氧化石墨烯乙醇溶液在含有氧化硅的硅晶圆表面后加热还原的方法进行制备半导体石墨晶圆。将硼、氮掺杂的石墨晶圆作为沟道利用光刻法制备成硼掺杂石墨场效应管进行电学表征，发现硼、氮掺杂的石墨晶圆分别是P、N型半导体材料。本发明制备方法简单、可以制备大面积半导体石墨晶圆、易于规模化连续化生产，是一种具有高的载流子迁移率的半导体石墨晶圆材料，可广泛应用电子器件、传感器、射频芯片、逻辑芯片等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体 石墨 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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