[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：提供晶圆结构与多个喷管，所述晶圆结构包括边缘结构，所述边缘结构包括多个依次设置的刻蚀区域；每个所述喷管对准一个所述刻蚀区域；每个所述喷管向对准的所述刻蚀区域喷射刻蚀液；所述刻蚀液刻蚀所述边缘结构以形成台阶结构。本发明解决了晶圆结构的边缘结构形成一个坡度较大的陡峭斜面，该陡峭斜面上通常会残留较多的残留物，陡峭斜面在经过化学机械研磨后，残留物将成为后续工序缺陷的源头，且可能造成晶圆结构的两层膜层之间出现间隙的技术问题。