[发明专利]一种集成周期陷光结构的MSM光电探测器的制备方法有效
| 申请号： | 201911033824.8 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110752268B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 苟君;谢哲远;王军;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 轩勇丽 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，属于光电探测器技术领域，本发明中MSM光电探测器的制备方法为：在衬底基片上制备半导体薄膜；在半导体薄膜上制备形成若干叉指电极；在每一对叉指电极之间沿半导体薄膜纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性限光结构，每一个周期孔不贯穿半导体薄膜层，得到高速高效率MSM光电探测器。该制备方法通过在每一对电极之间的半导体薄膜中集成周期性陷光结构，使探测器同时具有较大的陷光结构周期和较小的电极间距，在保证MSM光电探测器的响应速率的同时，有效提高探测器的光探测效率，本发明用于可见光与红外探测与成像技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 周期 结构 msm 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成周期限光结构的MSM光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：在衬底基片(10)上制备半导体薄膜(20)；/n步骤2：在所述半导体薄膜(20)上制备形成若干叉指电极(30)；/n步骤3：在每一对叉指电极(30)之间沿半导体薄膜(20)纵向方向刻蚀若干周期孔且形成周期性限光结构(40)，每一个周期孔不贯穿半导体薄膜层(20)。/n
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- 2022-07-20 - 2022-11-11 - H01L31/108
- 本发明公开了一种基于宏观组装石墨烯/外延硅肖特基结的红外雪崩光电探测器及其制备方法，主要解决现有雪崩光电探测器暗电流大、增益小、雪崩阈值电压过高等问题，并提出了一种分离吸收层和倍增层的低雪崩阈值电压新型红外光电探测器。该光电探测器以宏观组装石墨烯作为红外光吸收层，以外延硅层作为载流子倍增层，通过吸收倍增层的分离有效抑制噪声电流倍增，实现微弱光信号的灵敏探测；在较大的反向偏压下，光生载流子越过势垒与耗尽区内硅晶格发生碰撞电离，激发出指数型倍增的载流子贡献到光电流中，实现一个很大的内部增益；本发明光电探测器可以探测红外光谱，解决传统肖特基势垒探测器对红外光探测响应低的问题，利于通信波段信息的传递。
- 电磁波检测器、电磁波检测器阵列以及电磁波检测器的制造方法-202080098843.3
- 奥田聪志;小川新平;福岛昌一郎;岛谷政彰 - 三菱电机株式会社
- 2020-03-27 - 2022-11-08 - H01L31/108
- 电磁波检测器(100A)具备：半导体基板(1)；第1绝缘膜(2)，配置于半导体基板上，并且以使半导体基板的一部分露出的方式形成；第1电极(3)，配置于第1绝缘膜上；二维材料层(5)，具有在半导体基板的一部分与半导体基板肖特基接合的接合部(12)，从接合部经由第1绝缘膜之上而延伸至第1电极；第2电极(6)，与半导体基板接触；以及控制电极(7)，在俯视时配置于接合部的周围的至少一部分，并且与半导体基板肖特基接合。
- Ga
- 王湛;张尔奇;王欣媛;孙静;陈海峰;陆琴;贾一凡;刘祥泰;王少青;张霞 - 西安邮电大学
- 2022-08-31 - 2022-11-08 - H01L31/108
- 本发明涉及宽波段光电探测器件，具体涉及Ga
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
