[发明专利]石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器及制备有效
| 申请号： | 201911018382.X | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110729297B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 张跃;温嘉玲;张铮 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光电材料应用技术领域，提供了一种石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器及制备，该光电存储器包括自下而上依次设置的绝缘衬底、电荷束缚石墨炔层和电荷传输二硫化钼层；电荷传输二硫化钼层上相对设置源极和漏极；电荷束缚石墨炔层为石墨炔纳米薄膜，通过等离子刻蚀等方法获得；电荷传输二硫化钼层为二硫化钼纳米片，通过化学气相沉积法或者机械剥离获得。本发明利用石墨炔纳米薄膜作为电荷束缚层，二硫化钼作为电荷传输层，制备了非易失性多级光电存储器，实现了通过背栅脉冲和光脉冲调控石墨炔中束缚的电荷，在无背栅极作用下实现二硫化钼超低暗态电流和该存储器的多级光电存储功能；结构简单，易于制备，具有重大实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 二硫化钼 结合 非易失性 多级 光电 存储器 制备 | ||
【主权项】：
1.一种石墨炔和二硫化钼结合的非易失性多级光电存储器，其特征在于，包括自下而上依次设置的绝缘衬底、电荷束缚石墨炔层和电荷传输二硫化钼层；所述电荷传输二硫化钼层上相对设置有源极和漏极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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