[发明专利]一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法有效
| 申请号： | 201910962902.6 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110541199B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 谢雪健;陈秀芳;徐现刚;彭燕;杨祥龙;胡小波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B25/20;C30B33/06 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王素平 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直径8英寸及以上尺寸高质量SiC籽晶的制备方法。该方法包括：小尺寸SiC晶片或SiC晶体切割，拼接，磨削、抛光，然后进行同质外延生长；所述同质外延生长分两个阶段进行：(1)侧向外延：在圆形拼接SiC籽晶拼接缝隙处进行侧向外延生长以填充拼接缝隙，(2)表面外延：在拼接缝隙填充完成后，改变生长条件，促进籽晶的(0001)面生长速率，大幅度降低籽晶生长面的缺陷密度，提高籽晶生长面的结晶质量，获得表面总厚度变化小、无裂缝、缺陷密度少的8英寸及以上尺寸的高质量SiC籽晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 英寸 以上 尺寸 质量 sic 籽晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直径8英寸及以上尺寸的高质量SiC籽晶制备方法，包括：/n-切割：提供若干所需形状的小尺寸SiC晶片，或用SiC晶体切割形成小尺寸SiC晶片并磨削得到所需形状，使晶片的磨削方向偏差小于0.5°；/n-拼接：将小尺寸SiC晶片进行紧密拼接，使拼接后SiC籽晶的尺寸大于目标SiC籽晶尺寸；/n-磨削：采用外圆磨床将拼接籽晶进行磨削；得圆形拼接SiC籽晶；然后抛光；/n-外延生长：对抛光后的圆形拼接SiC籽晶进行同质外延生长，所述同质外延生长分两个阶段进行：/n(1)侧向外延：在圆形拼接SiC籽晶拼接缝隙处进行侧向外延生长以填充拼接缝隙，侧向外延温度控制在1200-1500℃，压力为10-50mbar，控制C/Si比为0.95-1.05，以促进晶体(11-20)、(1-100)面的生长速率，抑制(0001)面的生长速率，实现SiC拼接籽晶缝隙的侧向外延，填充裂缝；/n(2)表面外延：在拼接缝隙填充完成后，改变生长条件，控制生长温度为1500-1800℃，生长压力80-300mbar，控制C/Si比为0.8-1.2，以促进籽晶的(0001)面生长速率，实现在圆形SiC籽晶表面上外延一层SiC薄膜，得到无拼接缝隙的大直径高质量SiC籽晶，直径≥8英寸。/n
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