[发明专利]晶片对准标记、系统及相关方法在审
| 申请号： | 201910832701.4 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110880467A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | N·A·米林;R·登比;R·T·豪斯利;张晓松;J·D·哈姆斯;S·J·克拉梅尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及晶片对准标记、系统及相关方法。一种用于半导体制造过程的对准晶片的方法可包含：将磁场施加到晶片；检测来自所述晶片内的一或多个对准标记的一或多个残余磁场；响应于所检测到的一或多个残余磁场，确定所述一或多个对准标记的位置。可确定相对于理想栅格的标记位置，随后确定用于对准所述晶片的几何变换模型，并且响应于所述几何变换模型而对准所述晶片。还公开相关方法及系统。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 对准 标记 系统 相关 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
