[发明专利]一种超薄垂直结构黄光LED及其制备方法在审
| 申请号： | 201910801271.X | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110556460A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王永进 | 申请（专利权）人： | 南京南邮信息产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 32243 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邓道花 |
| 地址： | 210038 江苏省南京市南京栖霞*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄垂直结构黄光LED及其制备方法，超薄垂直结构黄光LED，包括自下而上依次设置的电子沉积底层、n型GaN层、超晶格层、量子阱层、p型电子阻挡层、p型GaN层、Ag电极层、Sn/Au金属键合层、低阻硅衬底和电子沉积顶层，其中Ag电极层和Sn/Au金属键合层键合而成；原始晶圆的缓冲层、n型GaN层、超晶格层、量子阱层、p型电子阻挡层和p型GaN层的总体厚度为 | ||
| 搜索关键词： | 垂直结构 黄光LED 量子阱层 金属键合层 超晶格层 硅衬底 缓冲层 低阻 晶圆 沉积 电光转换效率 衬底剥离 电极沉积 发光波长 金属沉积 金属键合 依次设置 顶层 减薄 键合 去除 制备 保证 | ||
【主权项】：
1.一种超薄垂直结构黄光LED，其特征在于：包括自下而上依次设置的/n电极沉积底层（22）、n型GaN层（13）、超晶格层(14)、量子阱层(15)、p型电子阻挡层（16）、p型GaN层（17）、Ag电极层（18）、Sn/Au金属键合层（21）、低阻硅衬底（20）和电极沉积顶层（23），其中Ag电极层（18）和Sn/Au金属键合层（21）键合而成；/n设定超薄垂直结构黄光LED的中心发光波长为
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