[发明专利]掺杂氧化钨纳米材料及其制备方法和无机空穴传输材料有效
| 申请号： | 201910763111.0 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN112397617B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张杨梅 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于平板显示技术领域，具体涉及掺杂氧化钨纳米材料及其制备方法和无机空穴传输材料。本发明所提供的掺杂氧化钨纳米材料，为镁、铝共掺杂的p型氧化钨晶体。上述掺杂氧化钨纳米材料的制备方法，包括以下步骤：提供钨盐、镁盐、铝盐和醇，将钨盐、镁盐和铝盐溶解在醇中，制备盐溶液；提供碱液，将碱液与盐溶液进行加热处理，制备前驱体溶液；将前驱体溶液进行固液分离处理，获得掺杂氧化钨纳米材料。经实验检测，本发明提供的掺杂氧化钨纳米材料在费米能级处形成了杂质能级，同时具备金属性和半导体性，显示出p型掺杂的性质，在作为空穴传输材料时其导电性能优于氧化钨。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化钨 纳米 材料 及其 制备 方法 无机 空穴 传输 | ||
【主权项】：
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