[发明专利]存储器件、电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器和方法有效
| 申请号： | 201910637077.2 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110729012B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 赖建安;邹宗成;池育德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 存储器件包括电阻式存储单元阵列，其中，多条字线连接至电阻式存储单元阵列。电压补偿控制器被配置为确定要施加到多条字线的所选字线的字线电压。字线驱动器被配置为将确定的字线电压施加到所选字线。本申请的实施例还涉及电阻式存储单元阵列的电压补偿控制器和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 电阻 单元 阵列 电压 补偿 控制器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：/n电阻式存储单元阵列；/n多条字线，连接至所述电阻式存储单元阵列；/n电压补偿控制器，被配置为确定要施加到所述多条字线的所选字线的字线电压；以及/n字线驱动器，被配置为将确定的字线电压施加到所述所选字线。/n
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