[发明专利]一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管及其室温制备方法在审
| 申请号： | 201910623038.7 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110534418A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 姚日晖;李晓庆;宁洪龙;史沐杨;梁宏富;李志航;袁炜健;张观广;张旭;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 裴磊磊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法，包括步骤：(1)将玻璃基板清洗、烘干；(2)在玻璃基板上采用直流磁控溅射沉积Al:Nd合金薄膜，通过湿法刻蚀图形化，形成栅极；(3)在Al:Nd栅极上通过阳极氧化法生长一层Al2O3:Nd栅极绝缘层；(4)采用脉冲激光沉积系统，通过掩模在Al2O3:Nd栅极绝缘层上沉积一层GZO半导体层；(5)采用真空蒸镀设备，通过掩模在GZO半导体层上蒸镀一层Al源漏电极。本发明采用了GZO半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，不含In元素且Ga、Zn、O三种元素均无毒，符合绿色环保的发展趋势。有源层采用了脉冲激光沉积法制备，操作简单，可重复性高，整个器件制备均在室温下完成，无需退火，有效降低器件成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极绝缘层 半导体层 掩模 源层 半导体薄膜晶体管 脉冲激光沉积系统 半导体材料 退火 玻璃基板清洗 磁控溅射沉积 脉冲激光沉积 真空蒸镀设备 薄膜晶体管 阳极氧化法 玻璃基板 采用直流 合金薄膜 降低器件 可重复性 绿色环保 器件制备 湿法刻蚀 室温制备 铟氧化物 漏电极 图形化 烘干 蒸镀 沉积 制备 无毒 生长 | ||
【主权项】：
1.一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法，其特征在于，包括步骤：/n(1)将玻璃基板清洗、烘干；/n(2)在玻璃基板上采用直流磁控溅射沉积Al:Nd合金薄膜，通过湿法刻蚀图形化，形成栅极；/n(3)在Al:Nd栅极上通过阳极氧化法生长一层Al2O3:Nd栅极绝缘层；/n(4)采用脉冲激光沉积系统，通过掩模在Al2O3:Nd栅极绝缘层上沉积一层GZO半导体层；/n(5)采用真空蒸镀设备，通过掩模在GZO半导体层上蒸镀一层Al源漏电极。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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