[发明专利]激光退火装置、激光退火方法和掩模在审
| 申请号： | 201780088909.9 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110462787A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 中川英俊 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;G09F9/00;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 44334 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王娟<国际申请>=PCT/JP2017/ |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够降低掩模连接边界上显示不均匀的激光退火装置、激光退火方法和掩模。激光退火装置具备掩模，在掩模上，在正交于扫描方向的行方向上排列了若干个开口区块，开口区块含有在平行于扫描方向的列方向上排列的若干个开口部，每当使掩模和基板中的至少一者移动到正交于扫描方向的方向上的规定位置后，进行激光照射处理，也就是使掩模和基板中的至少一者沿着平行于扫描方向的方向进行移动并通过若干个开口部对基板的若干个规定区域进行激光照射的处理，至少一组由相邻的两个开口区块构成的组中，作为一个开口区块的第一开口区块的开口部的位置与作为另一个开口区块的第二开口区块的开口部的位置在平行于扫描方向的方向上是错开的。 | ||
| 搜索关键词： | 区块 掩模 开口 扫描方向 开口部 平行 激光退火装置 激光照射 基板 正交 激光退火 连接边界 不均匀 对基板 列方向 错开 移动 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火装置，具备掩模，在所述掩模上，在正交于扫描方向的行方向上排列了若干个开口区块，所述开口区块含有在平行于所述扫描方向的列方向上排列的若干个开口部，每当使所述掩模和基板中的至少一者移动到正交于所述扫描方向的方向上的规定位置后，进行激光照射处理，所述激光照射处理是指使所述掩模和所述基板中的至少一者沿着平行于所述扫描方向的方向进行移动并通过所述若干个开口部对所述基板的若干个规定区域进行激光照射的处理，所述激光退火装置的特征在于，/n至少一组由相邻的两个开口区块构成的组中，作为其中一个开口区块的第一开口区块的开口部的位置与作为其中另一个开口区块的第二开口区块的开口部的位置在平行于所述扫描方向的方向上是错开的。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于堺显示器制品株式会社，未经堺显示器制品株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780088909.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：压印用固化性组合物、复制模具及其制造方法
- 下一篇：多孔半导体处理衬底
- 同类专利
- III/V族材料的高生长速率沉积-201880024678.X
- 洛里·D·华盛顿;大卫·P·布尔;格雷格·海格什;何甘 - 奥塔装置公司
- 2018-09-07 - 2019-12-17 - H01L21/20
- 本公开的各方面涉及以高速率外延生长III/V族材料的工艺，如约30μm/小时或更高，例如，约40μm/小时、约50μm/小时、约55μm/小时、约60μm/小时、约70μm/小时、约80μm/小时和约90～120μm/小时的沉积速率。III/V族材料或膜可用于太阳能、半导体或其他电子器件应用中。可以在气相沉积工艺期间在设置于支撑衬底上或上方的牺牲层上形成或生长III/V族材料。随后，在外延剥离(ELO)工艺期间，可以从支撑衬底移除III/V族材料。III/V族材料是包含砷化镓、砷化铝镓、砷化镓铟、砷化镓铟氮化物、磷化镓铝铟、其磷化物、其氮化物、其衍生物、其合金或其组合的外延生长层的薄膜。
- 碳化硅单晶衬底、碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法-201680021148.0
- 本家翼;冲田恭子 - 住友电气工业株式会社
- 2016-01-21 - 2019-12-17 - H01L21/20
- 提供一种碳化硅单晶衬底(10)，具有第一主表面(10a)以及与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)包括中心正方形区域(1)以及外部正方形区域(2)。当从厚度方向(TD)观察时，中心正方形区域(1)以及外部正方形区域(2)中的每一个都具有15mm长度的边。第一主表面(10a)具有不小于100mm的最大直径(W)。碳化硅单晶衬底(10)具有不大于5μm的TTV。由中心正方形区域(1)中的LTIR除以中心正方形区域(1)中的LTV而获得的值不小于0.8且不大于1.2。由外部正方形区域(2)中的LTV除以中心正方形区域(1)中的LTV而获得的值不小于1且不大于3。提供一种碳化硅单晶衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法，以便实现光刻工艺中掩模图案的位置偏离的抑制。
- 一种外延结构及方法-201510548833.6
- 邓震;王桂磊;杨涛;李俊峰;刘洪刚;赵超 - 中国科学院微电子研究所
- 2015-08-31 - 2019-12-13 - H01L21/20
- 本发明提供了一种外延结构及方法，包括：衬底；第一掩膜层，位于所述衬底的表面之上，所述第一掩膜层具有至少一个第一开口，以暴露所述衬底的表面；第二掩膜层，位于所述第一掩膜层之上，所述第二掩膜层具有位于第一开口之上且与第一开口的中心位置不重叠的一定宽度的第二开口；第三掩膜层，位于所述第二掩膜层之上，所述第三掩膜层具有位于第二开口之上且与第一开口的中心位置不重叠的一定宽度的第三开口，所述第三开口与所述第一开口之间的横向间距在一定范围内；外延层。本发明提供的外延结构能在晶格失配度超过4％的衬底上制备出高质量的外延层。
- 一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管及其室温制备方法-201910623038.7
- 姚日晖;李晓庆;宁洪龙;史沐杨;梁宏富;李志航;袁炜健;张观广;张旭;彭俊彪 - 华南理工大学
- 2019-07-11 - 2019-12-03 - H01L21/20
- 本发明公开了一种无铟氧化物半导体薄膜晶体管的室温制备方法，包括步骤：(1)将玻璃基板清洗、烘干；(2)在玻璃基板上采用直流磁控溅射沉积Al:Nd合金薄膜，通过湿法刻蚀图形化，形成栅极；(3)在Al:Nd栅极上通过阳极氧化法生长一层Al2O3:Nd栅极绝缘层；(4)采用脉冲激光沉积系统，通过掩模在Al2O3:Nd栅极绝缘层上沉积一层GZO半导体层；(5)采用真空蒸镀设备，通过掩模在GZO半导体层上蒸镀一层Al源漏电极。本发明采用了GZO半导体材料制备薄膜晶体管的有源层，不含In元素且Ga、Zn、O三种元素均无毒，符合绿色环保的发展趋势。有源层采用了脉冲激光沉积法制备，操作简单，可重复性高，整个器件制备均在室温下完成，无需退火，有效降低器件成本。
- 激光退火装置、激光退火方法和掩模-201780088909.9
- 中川英俊 - 堺显示器制品株式会社
- 2017-01-24 - 2019-11-15 - H01L21/20
- 本发明提供能够降低掩模连接边界上显示不均匀的激光退火装置、激光退火方法和掩模。激光退火装置具备掩模，在掩模上，在正交于扫描方向的行方向上排列了若干个开口区块，开口区块含有在平行于扫描方向的列方向上排列的若干个开口部，每当使掩模和基板中的至少一者移动到正交于扫描方向的方向上的规定位置后，进行激光照射处理，也就是使掩模和基板中的至少一者沿着平行于扫描方向的方向进行移动并通过若干个开口部对基板的若干个规定区域进行激光照射的处理，至少一组由相邻的两个开口区块构成的组中，作为一个开口区块的第一开口区块的开口部的位置与作为另一个开口区块的第二开口区块的开口部的位置在平行于扫描方向的方向上是错开的。
- 多孔半导体处理衬底-201880019462.4
- S·A·法内利;R·哈蒙德 - 高通股份有限公司
- 2018-01-30 - 2019-11-15 - H01L21/20
- 集成电路(IC)可以包括在半导体器件衬底的正面表面上的有源器件层。IC还可以包括正面电介质层，该正面电介质层具有与第二表面相对的第一表面，第一表面接触有源器件层。IC还可以包括与正面电介质层的第二表面接触的多孔半导体处理衬底。多孔半导体处理衬底可以是均匀掺杂的。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
