[发明专利]一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910616996.1 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110473925A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 陆健婷;郑照强 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264;H01L31/109;H01L31/18;C30B25/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 44329 广东广信君达律师事务所 | 代理人： | 杨晓松<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于二维材料异质结光探测领域，公开了一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结及其制备方法和应用。该二维硫化钼/硫化铟横向异质结是通过化学气相沉积法先将二氧化硅片平放在三氧化钼粉末的上方，置于管式炉的中间，将升华硫粉末放置在管式炉气流上游；在氮气气氛下，升温至680～800℃保温，在二氧化硅衬底上制得单层二维硫化钼单晶，通过湿法将单层二硫化钼转移至云母片上；然后将云母片平放在三硫化二铟粉末的上方，放置在管式炉中间；升温至750～980℃保温，自然冷却制得。本发明方法简单，反应条件易于控制，生长的二维异质结稳定，该异质结经过光刻，显影等步骤后，可成功在异质结两端搭建电极，具有良好的光探测应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 二维 管式炉 硫化钼 光探测 硫化铟 云母片 单层 保温 制备方法和应用 化学气相沉积 三氧化钼粉末 二氧化硅片 升华硫粉末 二硫化钼 二维材料 二氧化硅 反应条件 电极 硫化 衬底 单晶 光刻 湿法 显影 上游 生长 应用 成功 | ||
【主权项】：
1.一种二维硫化钼/硫化铟横向异质结，其特征在于，所述二维硫化钼/硫化铟横向异质结是通过化学气相沉积法先将二氧化硅片平放在三氧化钼粉末的上方，置于管式炉的中间，将升华硫粉末放置在管式炉气流上游；在氮气气氛下，升温至680～800℃保温，在二氧化硅衬底上制得单层二维硫化钼单晶，通过湿法将单层二硫化钼转移至云母片上；然后将云母片平放在三硫化二铟粉末的上方，放置在管式炉中间，升温至750～980℃保温，自然冷却制得。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
