[发明专利]绝缘体-金属结构中的铪基或锆基氧化物的快速再结晶有效
| 申请号： | 201910608841.3 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110718447B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | M·M·弗兰克;李锦良;E·A·卡蒂埃;V·纳拉亚南;J·弗姆派瑞;S·亚博尔;O·格鲁申克夫;H·贾甘纳坦 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L27/06;H01L29/423;H01L29/51;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开的实施例涉及绝缘体‑金属结构中的铪基或锆基氧化物的快速再结晶。一种用于将包括IV型过渡金属的电介质材料转变成结晶材料的方法，该方法包括：在支撑衬底上形成包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料，作为具有微尺度或更小的尺度的电气器件的组件；以及通过暴露于能量小于100毫秒并且在一些情况下小于10微秒的持续时间，将包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料转变成结晶的晶体结构。得到的材料完全结晶或部分结晶，并且包含亚稳铁电相，诸如空间群Pca2 |
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| 搜索关键词： | 绝缘体 金属结构 中的 氧化物 快速 再结晶 | ||
【主权项】：
1.一种用于将包括IV型过渡金属氧化物的主要为非晶的电介质材料转变成结晶材料的方法，包括：/n在支撑衬底上形成包括所述IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料；以及/n通过暴露于能量纳秒持续时间，将包括所述IV型过渡金属的所述主要为非晶的电介质材料转变成结晶的晶体结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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