[发明专利]一种PVD法制备V型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法有效
| 申请号： | 201910540528.0 | 申请日： | 2019-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110257770B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 邹臻峰;成志华;陈少逸;劳宏彬;吴建邦;黄宏利;陈方才 | 申请（专利权）人： | 铜仁梵晖新能源有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;H01L31/032;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 贵阳易博皓专利代理事务所(普通合伙) 52116 | 代理人： | 张浩宇 |
| 地址： | 554111 贵州省铜*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PVD法制备V型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法，包括如下步骤：S1：以不锈钢柔性材料为衬底，采用PVD溅射法在衬底的表面沉积第一层铜铟镓薄膜，同时进行低温硒化处理，形成第一层铜铟镓硒薄膜层；S2：采用PVD溅射法在第一层铜铟镓硒薄膜上沉积第二层铜铟镓薄膜，同时在高温下进行硒化处理，形成第二层铜铟镓硒薄膜吸收层；S3：采用PVD溅射法在第二层铜铟镓硒薄膜上沉积第三层铜铟镓薄膜，同时进行低温热退火处理和硒化处理，形成第三层铜铟镓硒薄膜界面层。通过控制镓的掺杂含量，实现了V型双梯度能带分布。工艺流程简单，可控性和稳定性程度高，实现工艺优化后的CIGS电池转换效率提升1.0％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvd 法制 掺杂 铜铟镓硒 吸收 方法 | ||
【主权项】：
1.一种PVD法制备V型掺杂铜铟镓硒吸收层的方法，其特征在于,包括如下步骤：S1：采用PVD溅射法在衬底上形成第一层铜铟镓硒薄膜层：以不锈钢柔性材料为衬底，采用PVD溅射法在衬底的表面沉积第一层铜铟镓薄膜，同时进行低温硒化处理，形成第一层铜铟镓硒薄膜层；S2：采用PVD溅射法在第一层铜铟镓硒薄膜层上形成第二层铜铟镓硒薄膜层：采用PVD溅射法在第一层铜铟镓硒薄膜上沉积第二层铜铟镓薄膜，同时在高温下进行硒化处理，形成第二层铜铟镓硒薄膜吸收层；S3：采用PVD溅射法在第二层铜铟镓硒薄膜层上形成第三层铜铟镓硒薄膜层：采用PVD溅射法在第二层铜铟镓硒薄膜上沉积第三层铜铟镓薄膜，同时进行低温退火处理和硒化处理，形成第三层铜铟镓硒薄膜界面层。
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