[发明专利]一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910520766.5 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110165057B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈剑辉;杨林林;刘保亭;李健;郭建新;代秀红 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H10K10/29 | 分类号： | H10K10/29;H10K10/50;H10K71/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机/无机杂化界面铁电存储器及其制备方法，其结构为在无机硅表面设有含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，在有机聚合物薄膜层上设有电极层。其制备方法包括以下步骤：a、将硅衬底在HF溶液中浸泡除去表面的自然氧化层，备用；或者在有机塑料衬底上沉积一层硅薄膜层，备用；b、在步骤a的衬底的硅表面上制备含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，然后对有机聚合物薄膜层进行热退火处理；c、通过掩膜板在有机聚合物薄膜层上沉积电极层。本发明利用聚合物薄膜中的磺酸基团与硅界面悬挂键的连接与断开，造成极化场强度的变化，达到存储的效果；其结构简单，成本低，可在柔性衬底上实现铁电存储效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 无机 界面 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机/无机杂化界面铁电存储器，其特征是，在无机硅表面设有含磺酸基团的有机聚合物薄膜层，从而形成磺酸基聚合物/硅杂化界面，在所述有机聚合物薄膜层上设有电极层；对所述铁电存储器施加连续变化的外电压，当施加正偏置电压时，有机聚合物薄膜层中的磺酸基团与硅以硅氧键的形式连接，形成氧化层，使总的电偶极矩变大，当施加负偏置电压时，硅氧键断开，氧化层消失，使总的电偶极矩变小，氧化层中偶极子数量变化随外电压呈非线性的滞回效应，从而使整个器件表现出铁电效应。
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