[发明专利]一种带有电偏转的金刚石膜制备装置及方法在审

专利信息
申请号: 201910518928.1 申请日: 2019-06-16
公开(公告)号: CN110158059A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 郝昕曈;郝晋青;郭欣和 申请(专利权)人: 郝昕曈
主分类号: C23C16/513 分类号: C23C16/513;C23C16/27
代理公司: 太原新航路知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14112 代理人: 王勇
地址: 030000 山西省*** 国省代码: 山西;14
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及金刚石膜的制备技术,具体是一种带有电偏转的金刚石膜制备装置及方法。本发明解决了采用热丝化学气相沉积法大面积制备金刚石膜时制备质量和速度受限的问题。一种带有电偏转的金刚石膜制备装置,包括圆筒形反应室、外层水管、圆饼形载台、内层水管、径向支撑杆、圆饼形水冷腔、驱动电机、驱动齿轮、圆环形托板、L形支撑杆、导电触头、传动圆环、轮轴、传动齿轮、集电环、传动杆、圆筒形安装座、矩形导电栅网、导电杆、电刷、竖向安装杆、径向安装杆、斜拉杆、热丝阵列、下圆形大导电栅网、上圆形大导电栅网、喇叭形导气罩、U形导气管、下圆形小导电栅网、上圆形小导电栅网、放电针、接地针。本发明适用于金刚石膜的大面积制备。
搜索关键词: 金刚石膜 导电栅网 制备 偏转 制备装置 圆饼形 热丝化学气相沉积法 喇叭形导气罩 圆筒形安装座 圆筒形反应室 径向支撑杆 圆环形托板 传动齿轮 传动圆环 导电触头 径向安装 驱动齿轮 驱动电机 热丝阵列 竖向安装 速度受限 外层水管 传动杆 导电杆 放电针 集电环 接地针 水冷腔 斜拉杆 电刷 轮轴 内层 载台 水管
【主权项】:
1.一种带有电偏转的金刚石膜制备装置,其特征在于:包括圆筒形反应室(1)、外层水管(2)、圆饼形载台(3)、内层水管(4)、径向支撑杆(5)、圆饼形水冷腔(6)、驱动电机(7)、驱动齿轮(8)、圆环形托板(9)、L形支撑杆(10)、导电触头(11)、传动圆环(12)、轮轴(13)、传动齿轮(14)、集电环(15)、传动杆(16)、圆筒形安装座(17)、矩形导电栅网(18)、导电杆(19)、电刷(20)、竖向安装杆(21)、径向安装杆(22)、斜拉杆(23)、热丝阵列(24)、下圆形大导电栅网(25)、上圆形大导电栅网(26)、喇叭形导气罩(27)、U形导气管(28)、下圆形小导电栅网(29)、上圆形小导电栅网(30)、放电针(31)、接地针(32)、抽气孔(33)、矩形窗孔(34)、第一至第十电源;圆筒形反应室(1)的下端和上端均设有端壁;圆筒形反应室(1)的下端壁中央贯通开设有下装配孔;圆筒形反应室(1)的上端壁贯通开设有两个左右对称的上装配孔;外层水管(2)的外侧面下端与下装配孔的孔壁固定配合;圆饼形载台(3)为空心结构,且圆饼形载台(3)的下端壁中央贯通开设有出水孔;圆饼形载台(3)的下外端面内边缘转动支撑于外层水管(2)的上端面,且圆饼形载台(3)的下外端面内边缘与外层水管(2)的上端面之间设有迷宫密封;圆饼形载台(3)的下外端面延伸设置有圆筒形凸台,且圆筒形凸台的轴线与圆饼形载台(3)的轴线重合;圆筒形凸台的内侧面与外层水管(2)的外侧面之间留有距离;圆筒形凸台的外侧面下端设有驱动外轮齿;圆饼形载台(3)的外侧面下端设有传动外轮齿;内层水管(4)穿设于外层水管(2)的内腔,且内层水管(4)的轴线与外层水管(2)的轴线重合;内层水管(4)的外侧面与外层水管(2)的内侧面之间留有出水间隙;内层水管(4)的下端面与外层水管(2)的下端面齐平;内层水管(4)的上端面超出圆饼形载台(3)的下内端面;径向支撑杆(5)的数目为多根;各根径向支撑杆(5)的内端面均与内层水管(4)的外侧面固定;各根径向支撑杆(5)的外端面均与外层水管(2)的内侧面固定;各根径向支撑杆(5)沿周向等距排列;圆饼形水冷腔(6)位于圆饼形载台(3)的内腔;圆饼形水冷腔(6)的下外端面与圆饼形载台(3)的下内端面之间、圆饼形水冷腔(6)的上外端面与圆饼形载台(3)的上内端面之间、圆饼形水冷腔(6)的外侧面与圆饼形载台(3)的内侧面之间均留有冷却间隙;圆饼形水冷腔(6)的下端壁中央贯通开设有进水孔;圆饼形水冷腔(6)的上端壁贯通开设有多个喷水孔;圆饼形水冷腔(6)的下外端面内边缘固定支撑于内层水管(4)的上端面;驱动电机(7)安装于圆筒形反应室(1)的下内端面,且驱动电机(7)的输出轴朝上;驱动齿轮(8)固定装配于驱动电机(7)的输出轴上,且驱动齿轮(8)与驱动外轮齿啮合;圆环形托板(9)的外侧面与圆筒形反应室(1)的内侧面固定配合,且圆环形托板(9)位于驱动电机(7)的上方;圆环形托板(9)的内径大于圆饼形载台(3)的外径,且圆环形托板(9)的上端面与圆饼形载台(3)的下外端面齐平;圆环形托板(9)的上端面开设有多个盲孔,且各个盲孔围绕圆环形托板(9)的轴线等距排列;L形支撑杆(10)的水平段垂直固定于圆环形托板(9)的内侧面,且L形支撑杆(10)的竖直段朝下;导电触头(11)安装于L形支撑杆(10)的竖直段下端,且导电触头(11)与圆筒形凸台的外侧面接触;传动圆环(12)的外侧面与圆筒形反应室(1)的内侧面转动配合,且传动圆环(12)的下端面与圆环形托板(9)的上端面外边缘接触;传动圆环(12)的内侧面设有传动内轮齿;轮轴(13)的数目与盲孔的数目一致,且各根轮轴(13)的下端一一对应地固定穿设于各个盲孔内;各根轮轴(13)的上端面均与传动圆环(12)的上端面齐平;传动齿轮(14)的数目与轮轴(13)的数目一致;各个传动齿轮(14)一一对应地转动装配于各根轮轴(13)上,且各个传动齿轮(14)的上端面均与传动圆环(12)的上端面齐平;每个传动齿轮(14)均分别与传动外轮齿和传动内轮齿啮合;集电环(15)的数目为四个;四个集电环(15)的外侧面均与圆筒形反应室(1)的内侧面固定配合,且四个集电环(15)的内径均大于传动圆环(12)的内径;第一至第四个集电环(15)自上而下等距排列于传动圆环(12)的上方,且四个集电环(15)均低于圆饼形载台(3)的上外端面;传动杆(16)的数目为多根;各根传动杆(16)均垂直固定于传动圆环(12)的上端面,且各根传动杆(16)围绕传动圆环(12)的轴线等距排列;各根传动杆(16)的上端面均超出圆饼形载台(3)的上外端面;每根传动杆(16)的侧面与四个集电环(15)的内侧面之间均分别留有距离;圆筒形安装座(17)的外侧面与圆筒形反应室(1)的内侧面转动配合,且圆筒形安装座(17)的下端面固定支撑于各根传动杆(16)的上端面;矩形导电栅网(18)的数目为四个;每个矩形导电栅网(18)均呈纵向直立设置,且每个矩形导电栅网(18)的前端面和后端面均与圆筒形安装座(17)的内侧面固定;第一至第四个矩形导电栅网(18)自左向右等距排列;第一个矩形导电栅网(18)和第四个矩形导电栅网(18)相互对称;第二个矩形导电栅网(18)和第三个矩形导电栅网(18)相互对称;导电杆(19)的数目为四根;第一根导电杆(19)垂直固定于第一个矩形导电栅网(18)的下端面后部;第二根导电杆(19)垂直固定于第二个矩形导电栅网(18)的下端面后部,且第二根导电杆(19)的长度大于第一根导电杆(19)的长度;第三根导电杆(19)垂直固定于第三个矩形导电栅网(18)的下端面后部,且第三根导电杆(19)的长度大于第二根导电杆(19)的长度;第四根导电杆(19)垂直固定于第四个矩形导电栅网(18)的下端面后部,且第四根导电杆(19)的长度大于第三根导电杆(19)的长度;每根导电杆(19)的侧面与圆筒形反应室(1)的内侧面之间均留有距离;电刷(20)的数目为四个;第一个电刷(20)安装于第一根导电杆(19)的下端,且第一个电刷(20)与第一个集电环(15)的内侧面接触;第二个电刷(20)安装于第二根导电杆(19)的下端,且第二个电刷(20)与第二个集电环(15)的内侧面接触;第三个电刷(20)安装于第三根导电杆(19)的下端,且第三个电刷(20)与第三个集电环(15)的内侧面接触;第四个电刷(20)安装于第四根导电杆(19)的下端,且第四个电刷(20)与第四个集电环(15)的内侧面接触;竖向安装杆(21)穿设于圆筒形安装座(17)的内腔,且竖向安装杆(21)的轴线与圆筒形安装座(17)的轴线重合;竖向安装杆(21)的上端面超出圆筒形安装座(17)的上端面;竖向安装杆(21)的下端面超出圆筒形安装座(17)的下端面;径向安装杆(22)的数目为多根;各根径向安装杆(22)的内端面均与竖向安装杆(21)的侧面上端固定;各根径向安装杆(22)的外端面均与圆筒形反应室(1)的内侧面固定;各根径向安装杆(22)沿周向等距排列;斜拉杆(23)的数目为多根;各根斜拉杆(23)的上端面均与竖向安装杆(21)的侧面下部固定;各根斜拉杆(23)的下端面均与竖向安装杆(21)的下端面齐平;各根斜拉杆(23)沿周向等距排列;热丝阵列(24)安装于竖向安装杆(21)的下端和各根斜拉杆(23)的下端,且热丝阵列(24)水平设置于圆饼形载台(3)的上方;下圆形大导电栅网(25)的侧面与圆筒形反应室(1)的内侧面固定配合,且下圆形大导电栅网(25)位于各根径向安装杆(22)的上方;上圆形大导电栅网(26)的侧面与圆筒形反应室(1)的内侧面固定配合,且上圆形大导电栅网(26)位于下圆形大导电栅网(25)的上方;喇叭形导气罩(27)的细端朝上、粗端朝下;喇叭形导气罩(27)的下端敞口边沿与圆筒形反应室(1)的内侧面密封固定,且喇叭形导气罩(27)位于上圆形大导电栅网(26)的上方;U形导气管(28)的两个侧边分别固定贯穿两个上装配孔,且U形导气管(28)的两个管口均朝上;U形导气管(28)的底边中央贯通开设有朝下的导气孔,且导气孔与喇叭形导气罩(27)的上端敞口密封连通;下圆形小导电栅网(29)的侧面与U形导气管(28)的左侧边内侧面固定配合;上圆形小导电栅网(30)的侧面与U形导气管(28)的左侧边内侧面固定配合,且上圆形小导电栅网(30)位于下圆形小导电栅网(29)的上方;放电针(31)的数目为多根;各根放电针(31)均垂直固定于上圆形小导电栅网(30)的下端面;接地针(32)的数目为两排;每排接地针(32)均包括多根接地针(32);两排接地针(32)相互正对地垂直固定于U形导气管(28)的左侧边内侧面,且两排接地针(32)均位于上圆形小导电栅网(30)的上方;抽气孔(33)贯通开设于圆筒形反应室(1)的侧壁,且抽气孔(33)位于圆环形托板(9)的下方;矩形窗孔(34)贯通开设于圆筒形反应室(1)的侧壁;矩形窗孔(34)的上孔壁高于热丝阵列(24);矩形窗孔(34)的下孔壁与圆饼形载台(3)的上外端面齐平;矩形窗孔(34)上安装有矩形透明窗门;第一电源的两极分别与驱动电机(7)的两个电源端连接;第二电源的两极分别与热丝阵列(24)的两个电源端连接;第三至第十电源均为直流电源;第三电源的正极与第一个集电环(15)连接;第三电源的负极、第四电源的正极均与第二个集电环(15)连接;第四电源的负极、第五电源的正极均与第三个集电环(15)连接;第五电源的负极与第四个集电环(15)连接;第六电源的正极与上圆形小导电栅网(30)连接;第六电源的负极、第七电源的正极均与下圆形小导电栅网(29)连接;第七电源的负极、第八电源的正极均与上圆形大导电栅网(26)连接;第八电源的负极、第九电源的正极均与下圆形大导电栅网(25)连接;第九电源的负极、第十电源的正极均与热丝阵列(24)的其中一个电源端连接;第十电源的负极与导电触头(11)连接;两排接地针(32)均接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郝昕曈,未经郝昕曈许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910518928.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 具有增强的二氧化硅屏蔽涂层的PET容器的制造方法-201910665988.6
  • 谢尔盖·B·波布罗夫;马克·D·施奈德 - 格莱汉姆包装公司
  • 2015-09-10 - 2019-11-12 - C23C16/513
  • 本发明涉及具有增强的二氧化硅屏蔽涂层的PET容器的制造方法。具体地,本发明提供了一种用于向PET容器施加氧化硅屏蔽涂层的方法,其中所述PET容器包含具有内表面和外表面的壁,所述方法包括下述步骤:(a)加热PET容器以使得至少所述外表面处于约200℉至约383℉的温度;(b)在所述PET容器的至少所述外表面的温度处于约200℉至约383℉的温度时,通过在所述PET容器的至少所述内表面上施加至少一层氧化硅屏蔽层,形成涂层的PET容器;以及(c)在步骤b后冷却所述涂层的PET容器。
  • 用于管腔内聚合物沉积的设备和方法-201510398705.8
  • 大卫·K·富特 - 诺信公司
  • 2015-06-12 - 2019-11-01 - C23C16/513
  • 本发明涉及用于管腔内聚合物沉积的设备和方法。用于将涂层涂覆至在制品的通道周围的内表面的方法和设备。在该制品的通道内从工艺气体产生等离子体,并且从等离子体将涂层沉积到该内表面上。该制品可选择地放置在导电导管的通道内。该制品或该导电导管被与射频发生器相联接以在制品通道内产生等离子体。
  • 一种新型立式等离子体气相沉积反应器-201920047362.4
  • 梁秀阁;王锴宁;时昌温;连克科 - 郑州科佳电炉有限公司
  • 2019-01-11 - 2019-11-01 - C23C16/513
  • 本实用新型提出了一种新型立式等离子体气相沉积反应器,包括:反应装置,包括炉管、包裹炉管上部的射频箱体、包裹炉管下部的高温电炉、炉管顶端的投料装置、炉管底端的出料装置;右箱体,设在反应装置后端,右箱体内上端设有与气体投料口连接的汽化装置、中间设有与匹配器连接的射频电源、下端设有与抽真空装置连接的真空泵;左箱体,设在右箱体左侧,左箱体内上端设有控制装置、中间设有转接管和质量流量计控制器、下端设有射频电源控制器。本实用新型的有益效果是:通过以上技术方案,方便操作,既能化学气相沉积又能直接反应,简化操作步骤,能同时通入气体、液体、固体,可做多种试验。
  • 等离子体气相沉积用工件固定治具及等离子体气相沉积设备-201822039326.1
  • 柏洋;吴其涛 - 星弧涂层新材料科技(苏州)股份有限公司
  • 2018-12-06 - 2019-10-29 - C23C16/513
  • 本实用新型揭示了等离子体气相沉积用工件固定治具及等离子体气相沉积设备,其中固定治具包括可绕其轴线自转的圆盘,圆盘上可自转地垂设有一组呈圆形分布的载具,一组载具与圆盘共同形成一占据圆柱形空间的整体装置,整体装置连接电源且整体装置的形状满足其通电后,产生的电磁场集中于整体装置表面区域。本方案通过对整体装置的结构设计,使其通电后的磁场集中分布于圆柱形的整体装置表面区域,从而使得电磁场集中区域与需要镀膜的工件位置相匹配,进而使得等离子体在真正需要的镀膜区域沉积,达到最佳的沉积效果,并且相对于现有设备,在相同时间内产生的厚度能够提高1.3‑2倍,涂层质量等级能提高到最优的1‑2级,产能显著提高。
  • 一种12管高产能PECVD设备-201822156366.4
  • 崔慧敏;林罡;王鹏 - 无锡华源晶电科技有限公司
  • 2018-12-21 - 2019-10-25 - C23C16/513
  • 本实用新型公开了一种12管高产能PECVD设备,包括气源柜、主机和工作台框架,气源柜的右侧与主机的左侧固定连接,主机的右侧与工作台框架表面的一侧固定连接,工作台框架的顶部固定连接有加热炉体,加热炉体的表面活动连接有真空炉门机构,加热炉体的表面固定连接有自动控制系统,本实用新型涉及太阳能电池技术领域。该12管高产能PECVD设备,通过加热炉体、自动送取料系统和推拉舟使得载有待镀膜晶片的石墨舟传送给上下料机械手,通过这个全自动机械手的精准定位,把石墨舟放到每管对应的推拉舟上,然后再由推拉舟送入工艺管内,晶片在工艺管内,通过密封炉门机构和真空系统,达到所需要的工艺真空度,然后通入工艺气体。
  • 一种提高PECVD设备抽真空效率的装置-201920208490.2
  • 杨福年;郑锡文 - 东莞市和域战士纳米科技有限公司
  • 2019-02-18 - 2019-10-25 - C23C16/513
  • 本实用新型公开了一种提高PECVD设备抽真空效率的装置,包括壳体和设置在壳体上的盖板,壳体的外侧设置有冷凝盘管,壳体内的底部设置有加热器;所述盖板还设置有一根进气管和出气管,壳体底部连接有一根排液管;所述进气管上连接有进气阀,排液管上设置有排液阀。本实用新型中通过设置设置壳体和冷凝盘管等,可以将PECVD设备的真空仓体抽出的气体进行降温,将其中的杂质降温结晶从而从气体中分离,进入真空泵的气体不含结晶物,保证真空泵正常运行,从而提高了PECVD设备抽真空效率。
  • 用于内燃发动机的链条导轨和张紧臂上的类金刚石碳涂层-201510112002.4
  • 杰弗里·艾略特·乔蒂纳;里克·L·威廉姆斯 - 福特全球技术公司
  • 2015-03-13 - 2019-10-22 - C23C16/513
  • 本发明提供了一种具有类金刚石碳涂层的尼龙链条张紧臂和尼龙链条导轨。类金刚石碳涂层通过包括物理气相沉积的方法在基底上形成,例如,通过由各种非晶碳的组合组成的涂层系统的溅射或化学气相沉积。将类金刚石碳涂层施加到尼龙基底的优选方法是基于等离子体的离子注入与沉积的混合过程。尽管合成聚合物——例如脂肪族聚酰胺尼龙——是优选的材料,但链条张紧臂或导轨可以由适合该目的的任何数量的塑料制成。基底可以是常见的尼龙或可以是用玻璃纤维或碳纤维增强的复合材料。类金刚石碳涂层可以通过气相沉积施加到尼龙基底上,或者直接到链条接触表面或在沉积之前在基底上形成的初始表面上。
  • 一种用于平板式PECVD镀膜系统的腔体结构-201822095947.1
  • 何振杰 - 杭州海莱德智能科技有限公司
  • 2018-12-13 - 2019-10-01 - C23C16/513
  • 本实用新型的一种用于平板式PECVD镀膜系统的腔体结构,包括第一侧板、第二侧板、第三侧板、第四侧板和底板,所述第一侧板、第二侧板、第三侧板、第四侧板的底部均与所述底板连接以形成容纳腔;所述第一侧板和所述第三侧板的上部均设置有水平段和垂直段,所述水平段的端面分别与所述第二侧板和所述第四侧板的上端面平齐。本实用新型的用于平板式PECVD镀膜系统的腔体结构,采用U型设计结构,一方面将密封槽的三维空间加工改为平面二维加工,大大地降低了加工复杂度和装配精度,同时,可进一步减少内部空间,缩短系统的节拍时间,提高镀膜系统的产能。
  • 一种用于平板式PECVD镀膜系统的水冷组件-201822096412.6
  • 何振杰 - 杭州海莱德智能科技有限公司
  • 2018-12-13 - 2019-10-01 - C23C16/513
  • 本实用新型的一种用于平板式PECVD镀膜系统的水冷组件,包括水冷固定件单元、进液口和出液口;水冷固定件单元设置有前蓄液腔体、后蓄液筒和隔液板,前蓄液腔体与隔液板之间形成前蓄液内腔,后蓄液筒和隔液板之间形成后蓄液内腔;前蓄液内腔和后蓄液内腔通过隔液板隔开,隔液板上设置有多个导流口;前蓄液内腔与进液口和出液口连通;后蓄液内腔通过导流口与前蓄液内腔连通;液体从进液口注入并通过导流口流经前蓄液内腔和所述后蓄液内腔。本实用新型的用于平板式PECVD镀膜系统的水冷组件,通过冷却液体带走密封圈处或者其他周边工件处的热量,使之可长期工作在更高温度环境,有利于改善镀膜系统生长薄膜的质量。
  • 一种硬质合金刀具镀膜设备-201920156327.6
  • 杜宏刚;袁玉晓;伊长涛;徐发瑜;赵国强;董少震 - 青岛玉阳泉钻具有限公司
  • 2019-01-30 - 2019-10-01 - C23C16/513
  • 本实用新型公开了一种硬质合金刀具镀膜设备,包括基台,所述基台的上表面开有几形槽,所述基台的前边缘开有槽入口和槽出口,所述几形槽的表面设置有电动小车,所述基台的上表面中部设置有等离子真空腔体,所述等离子真空腔体的侧面中下部开有密封门,所述密封门的内部安装有电动门扇,所述等离子真空腔体的顶部设置有真空排气装置,所述等离子真空腔体的侧面安装有等离子体发生系统,所述基台的上表面设置有控制板,该硬质合金刀具镀膜设备,可以实现硬质合金刀具镀膜的循环往复进行,减少人工操作,提高镀膜效率,通过限位套把硬质合金刀具隔开,使得硬质合金刀具镀膜更充分,效果更好。
  • 高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备-201822136832.2
  • 张波;刘涛;黄彪 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2018-12-19 - 2019-09-24 - C23C16/513
  • 本实用新型涉及一种高密度等离子体硅片表面进行化学气相沉积设备,涉及半导体集成电路制造技术,包括射频调频器和腔体,所述射频调频器位于所述腔体之上,所述腔体包括一顶盖,所述射频调频器包括容置空间和盖板,所述盖板组装于所述容置空间上,一电容设置于所述容置空间内,在所述盖板上设置一进风风扇和一出风风扇,其中所述进风风扇靠近所述电容设置,所述出风风扇远离所述电容设置,以使冷风通过所述进风风扇进入所述容置空间内、经过所述电容后从所述出风风扇流出,以预防电容爆浆,进而提高半导体产品的良率及半导体产品的生产率。
  • 等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置-201822142952.3
  • 范继良 - 黄剑鸣
  • 2018-12-19 - 2019-09-17 - C23C16/513
  • 本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积用多通道电极装置,其包括气盒机构及电极机构,气盒机构包括呈中空结构的气盒体,中空结构被第一隔板分隔形成各自相互独立的气腔单元,气盒体的顶面贯穿开设有与气腔单元连通的进气口,每一气腔单元所对应的气盒体的底面上均设置有导电结构的第二隔板,相邻两第二隔板之间的气盒体的贯穿开设有与气腔单元连通的出气口,相邻两第二隔板之间形成电离腔单元,依次连通的进气口、气腔单元、出气口及电离腔单元形成一沉积通道,电极机构的电极条对应悬置于电离腔单元中;由上可知,本实用新型借由所提供的多条沉积通道可同时进行不同气体的电离,进而实现对基板同时进行多层沉积的目的。
  • 再生冷却方法和设备-201680018733.5
  • R·W·泰勒;A·F·赫尔曼 - 巨石材料公司
  • 2016-02-01 - 2019-09-17 - C23C16/513
  • 一种冷却等离子体室中的内衬的方法。使再循环气体与内衬接触或经过内衬,以冷却所述内衬并预热再循环气体。然后使被预热的气体经过等离子体室再循环,以成为等离子体形成工艺的一部分。该方法还包括:内衬为石墨,再循环气体经过存在于内衬中的至少一条冷却通道,冷却通道中的至少一条冷却通道被至少一个能够移除的内衬/通道盖覆盖,碳沉积物由存在于再循环气体中的烃形成,至少一条通道被形成为螺旋的冷却通道样式,至少一条通道被形成为基本上直的冷却通道样式,以及充气室,其用于协助在通道中产生均匀分布的冷却气体。
  • 等离子体淀积炉的反应室结构-201822095332.9
  • 杨宝立;张勇;李时俊;伍波 - 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
  • 2018-12-13 - 2019-09-06 - C23C16/513
  • 本实用新型公开了提供一种等离子体淀积炉的反应室结构,包括:内层石英管,其内部为用于盛装反应气体的反应腔;外层石英管,其套在内层石英管外并与内层石英管同轴,外层石英管与内层石英管之间具有间距;用于将反应气体电离产生碳原子的电感线圈,其缠绕在内层石英管上,且电感线圈沿内层石英管的轴向延伸,电感线圈与射频电源连接。本实用新型电感线圈通入射频电源后,电感线圈将反应腔内的反应气体电离产生碳原子,这样碳原子会一层一层的落在铜箔或铝箔上,而碳原子与碳原子之间会通过化学键联接在一起,从而在铜箔或铝箔上生长出石墨烯,这样石墨烯具有特定的结构,更有利于锂离子电池的储能,从而使该锂离子电池具有更高的能量密度。
  • 等离子体处理装置-201811552302.4
  • 铃木泰雄;丹上正安 - 等离子体成膜有限公司
  • 2018-12-18 - 2019-08-23 - C23C16/513
  • 为了实现制造的高效率化,并且即使在片状基材薄的情况下,也确保品质的等离子体处理装置,包括:等离子体处理室(X),对片状基材(Z)进行等离子体处理;高频天线(3),用以使等离子体处理室(X)内产生等离子体;以及送出机构(10),将片状基材(Z)沿着上下方向送出至等离子体处理室(X)内。
  • 一种带有电偏转的金刚石膜制备装置及方法-201910518928.1
  • 郝昕曈;郝晋青;郭欣和 - 郝昕曈
  • 2019-06-16 - 2019-08-23 - C23C16/513
  • 本发明涉及金刚石膜的制备技术,具体是一种带有电偏转的金刚石膜制备装置及方法。本发明解决了采用热丝化学气相沉积法大面积制备金刚石膜时制备质量和速度受限的问题。一种带有电偏转的金刚石膜制备装置,包括圆筒形反应室、外层水管、圆饼形载台、内层水管、径向支撑杆、圆饼形水冷腔、驱动电机、驱动齿轮、圆环形托板、L形支撑杆、导电触头、传动圆环、轮轴、传动齿轮、集电环、传动杆、圆筒形安装座、矩形导电栅网、导电杆、电刷、竖向安装杆、径向安装杆、斜拉杆、热丝阵列、下圆形大导电栅网、上圆形大导电栅网、喇叭形导气罩、U形导气管、下圆形小导电栅网、上圆形小导电栅网、放电针、接地针。本发明适用于金刚石膜的大面积制备。
  • 长效亲水薄膜的制备方法-201910595315.8
  • 杨福年;郑锡文 - 东莞市和域战士纳米科技有限公司
  • 2019-07-03 - 2019-08-20 - C23C16/513
  • 本发明提供了一种长效亲水薄膜的制备方法,包括:步骤A:等离子制备,醇类或羟酸类聚合物进行加热后变为气体进入反应腔体,分解为等离子体;步骤B:在基底表面进行聚合反应,在基底表面直接制得亲水薄膜。本发明打破传统的膜层涂布工艺,实现了合成与成膜一体化的工艺,提高生产效率,降低生产成本。
  • RPECVD的多室沉积系统-201821892232.2
  • 范继良 - 黄剑鸣
  • 2018-11-16 - 2019-08-13 - C23C16/513
  • 本实用新型公开一种RPECVD的多室沉积系统,包括待RPECVD气相沉积的基体、供基体从大气区域进入本系统的进出室、供基体进行RPECVD气相沉积的沉积室、供基体临时停靠的过渡室、供基体腔室交换的交换室、交换室分别与进出室、沉积室、过渡室相连通、以抽气维持各腔室的压力平衡及真空状态的真空泵、沿进出室、交换室、过渡室及沉积室的长度方向设置有传动机构、在交换室还设置有连接传动机构的变向机构、遥控传动机构带动基体移动的中央控制器,其中变向机构为由中央控制器控制转动的圆盘,所述圆盘还设有调整方向的平行滚轮滑道,所述滚轮滑道的调整方向与以上各腔室之间夹角角度相匹配。本实用新型通过进出室、沉积室、过渡室和交换室构成多室沉积系统,以利于批量的基体同时进行RPECVD气相沉积。
  • 一种RPECVD的卧式沉积装置-201821893095.4
  • 范继良 - 黄剑鸣
  • 2018-11-16 - 2019-08-13 - C23C16/513
  • 本新型公开一种RPECVD的卧式沉积装置,包括等离子气体、真空泵、射频电源、壳体及容纳于壳体的待RPECVD的基体、气盒、电离栅和支撑架,所述壳体设有供基体出入的门、供等离子气体输入的入口、连接真空泵的出口;真空泵将壳体内的等离子气体抽出并维持壳体内的真空状态;气盒设于壳体的入口侧且与壳体入口相连通;气盒与电离栅均为导体,射频电源射频电极连接气盒,射频电源的地电极连接电离栅,通电后形成电离区;基体平卧于电离栅下方的支撑架上,支撑架架设于壳体的出口侧。本新型通过在同一壳体内将电离区与沉积区隔离设置,避免了电离子对基体的轰击,提高了基体镀膜的质量。
  • 一种提高机械手载重的PECVD设备-201821676700.2
  • 肖岳南;李时俊;张勇;伍波 - 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
  • 2018-10-16 - 2019-08-09 - C23C16/513
  • 本实用新型公开了一种提高机械手载重的PECVD设备,包括:升降立柱、安装在升降立柱上的固定手臂,所述固定手臂的一端可伸出活动手臂,其特征在于,所述固定手臂伸出活动手臂的一端与升降立柱连接,所述升降立柱设置在PECVD设备的活动通道的中间。本实用新型通过将升降立柱设置在PECVD设备的活动通道的中心位置,从而在缓存区或者SIC桨上搬送石墨舟时的最大悬臂长度大幅度减小,通过减少力臂的长度使机械手的承重能力得到大幅度提升,满足PECVD设备的大产能使用要求。
  • 一种管式PECVD镀膜装置-201821708262.3
  • 朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 - 浙江光隆能源科技股份有限公司
  • 2018-10-22 - 2019-08-06 - C23C16/513
  • 本实用新型提供了一种管式PECVD镀膜装置。它解决了现有镀膜系统中没有混气结构,容易出现石英管内气体混合不充分,严重影响镀膜的一致性,镀膜不稳定等技术问题。本管式PECVD镀膜装置,包括机座,机座上固定有箱体,箱体内设置有内部具有镀膜腔的双层石英管,双层石英管内固定有感应线圈,双层石英管一端上具有取放口,双层石英管上设置有能将取放口封闭住的盖板,盖板和进气管一端相连通,进气管另一端与送气混合机构相连,进气管上设置有电磁阀一,双层石英管另一端和排气管一端相连通,排气管另一端与真空机构相连,排气管上设置有电磁阀二。本实用新型具有镀膜可靠的优点。
  • 一种等离子化学气相沉积循环镀疏水膜方法-201910335909.5
  • 吕伟桃;王宪;梁宸 - 佛山市思博睿科技有限公司
  • 2019-04-24 - 2019-07-19 - C23C16/513
  • 本发明公开了一种等离子化学气相沉积循环镀疏水膜方法,包括以下步骤:(1)、前处理:对具有待镀膜面进行前处理;(2)、活化:在反应腔内利用等离子气体对待镀膜面进行活化处理;(3)、镀膜:汽化的疏水材料进入反应腔,通过等离子化学增强气相沉积法使所述疏水材料在镀膜面上沉积形成一层疏水膜;(4)、停止疏水材料输入,再次进行步骤(2)和(3),在原有的一层疏水膜上再次沉积一层疏水膜;(5)、重复步骤(4);(6)、反应腔内破真空,获得具有多层疏水膜的工件。采用循环镀膜的方式沉积多层疏水膜,有利于膜层有效附着和和密堆积,提高膜层质量,膜层在基材表面附着沉积更牢固,保证了疏水性能的持久性。
  • 一种用于提高正反平面沉积均匀性的盒式电极-201910427318.0
  • 张志强;林捷;漆宏俊 - 上海稷以科技有限公司
  • 2019-05-22 - 2019-07-19 - C23C16/513
  • 本发明公开了一种用于提高正反平面沉积均匀性的盒式电极,该盒式电极由至少三层平板电极构成,位于中间层的平板电极为功率电极,位于功率电极上下两层的电极均为接地电极,三层平板电极的层与层之间通过与平板电极相互垂直设置的绝缘板分隔,将多个盒式电极由上至下依次固定设置于箱体中配置成整列结构,样品设置于两个盒式电极之间。本发明将功率电极改进为带孔的盒式电极,通过射频等离子体气相沉积工艺在材料或者物品表面进行三维同形涂覆,从而在产品表面获得同形且厚度一致的薄膜材料,提高了等离子体气相沉积的均匀性。本发明提出了新型的盒式电极结构,用功率电极和接地电极的组合形式,提高了正反两平面沉积厚度的均匀性。
  • 一种石英炉管的管口密封结构及石英炉管-201821922665.8
  • 韩树果;孙贤;乔勇 - 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
  • 2018-11-21 - 2019-07-12 - C23C16/513
  • 本实用新型属于太阳能电池片制造技术领域,公开了一种石英炉管的管口密封结构及石英炉管,石英炉管的管口密封结构包括炉门法兰、冷却环及密封圈,其中,炉门法兰连接于管口外周,冷却环的内部开设有冷却腔体;密封圈套设于冷却环的外周,能够与炉门法兰相抵。本实用新型通过在炉管本体的管口外周连接冷却环,并在冷却环的外周套设能够与炉门法兰相抵的密封圈,能够有效地将炉管本体与炉门法兰之间密封,且冷却环直接冷却密封圈的靠近炉管本体的一侧,能够有效降低密封圈靠近炉管本体区域的温度,提高密封圈寿命。
  • 等离子体启辉方法和设备-201610566352.2
  • 张京华 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2016-07-18 - 2019-07-05 - C23C16/513
  • 本发明公开了等离子体启辉方法及设备,所述等离子体启辉方法用于将气体激发为等离子体,包括以下步骤:计算将气体激发生成等离子体所需的启辉上电极功率RF,且RF=RF1+RF1*RF2/(RF1+RF2),其中,RF1及RF2分别为将气体维持在等离子体稳定状态所需的稳定上电极功率和稳定下电极功率;启动与上电极相连的第一射频电源和与下电极相连的第二射频电源,并将第一射频电源的功率设定为RF、第二射频电源的功率设定为RF2;检测与所述功率设定为RF的第一射频电源相对应的反射功率,若所述反射功率小于RF1*5%,则将第一射频电源的功率设定为RF1,第二射频电源的功率仍设定为RF2。本发明能够提高气体启辉成功率,还可以减少等离子体稳定时间,从而缩短工艺时间、提高机台效率。
  • 一种检验基板的处理方法及处理装置-201710262131.0
  • 张文波;郭如旺;储明明;张锐;郑文灏 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
  • 2017-04-20 - 2019-07-02 - C23C16/513
  • 本发明提供一种检验基板的处理方法及处理装置。处理方法包括:在检验基板上设置牺牲膜层;利用等离子体增强化学气相沉积法在所述牺牲膜层上形成检验膜层;在对所述检验膜层的形成状况进行检验后,从所述检验基板上去除所述牺牲膜层,从而使得所述检验膜层与所述检验基板分离;回收所述检验基板。本发明的方案先在检验基板上沉积出易于与检验基板分离的牺牲膜层,之后再使用离子体增强化学气相沉积法制作出用于检验化学气象沉积工艺的检验膜层,在验证完成后,只需要将牺牲膜层与检验基板分离,即可重新回收干净的检验基板,使得检验基板可以在下次检验中继续使用,从而节约了制作成本,因此具有很高的实用价值。
  • 一种RPECVD的多室沉積系统-201811369235.2
  • 范继良 - 黄剑鸣
  • 2018-11-16 - 2019-06-28 - C23C16/513
  • 本发明公开一种RPECVD的多室沉積系统,包括待RPECVD气相沉積的基体、供基体进入本系统的进出室、供基体进行RPECVD气相沉積的沉積室、供基体临时停靠的过渡室、供基体腔室交换的交换室、交换室分别与进出室、沉積室、过渡室相连通、以抽气维持各腔室的压力平衡及真空状态的真空泵、沿进出室、交换室、过渡室及沉積室的长度方向设置有传动机构、在交换室还设置有连接传动机构的变向机构、遥控传动机构带动基体移动的中央控制器,其中变向机构为由中央控制器控制转动的圆盘,圆盘还设有调整方向的双行滚轮滑道,滚轮滑道的调整方向与以上各腔室之间夹角角度相匹配。本发明通过进出室、沉積室、过渡室和交换室构成多室沉積系统,以利于批量的基体同时进行RPECVD气相沉積。
  • 一种有机硅硬质纳米防护涂层的制备方法-201710730242.X
  • 宗坚 - 江苏菲沃泰纳米科技有限公司
  • 2017-08-23 - 2019-06-25 - C23C16/513
  • 一种有机硅硬质纳米防护涂层的制备方法,属于等离子体技术领域,该方法中,将反应腔室抽真空度,并通入惰性气体,使基材产生运动,通入单体蒸汽,进行化学气相沉积,在基材表面化学气相沉积制备有机硅纳米涂层;单体蒸汽成分为:至少一种含双键、Si‑Cl、Si‑O‑C、Si‑N‑Si、Si‑O‑Si结构或环状结构的有机硅单体和至少一种多官能度不饱和烃及烃类衍生物的混合物,停止通入单体蒸汽,通入氧气和/或水蒸气,对有机硅纳米涂层表面进行硬质处理。本发明将传统的碳氢氧有机化合物单体替换为有机硅单体,每个硅原子至少提供1‑4个活性位点,具有较高的活性,在单体中引入部分氧气,可将有机硅氧化为纳米二氧化硅,由于弥散强化效应,可大大提高涂层硬度。
  • 一种气相沉积腔室-201910168347.X
  • 张迎春;刘洁雅 - 北京捷造光电技术有限公司
  • 2019-03-06 - 2019-06-14 - C23C16/513
  • 本申请公开一种气相沉积腔室,包括真空外腔室和真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁,真空内腔室设置于真空外腔室的腔室内;真空外腔室和真空内腔室设置有与抽真空装置连接的真空管道;喷淋电极和下电极设置在真空内腔室的内部,下电极位于喷淋电极的下方。真空外腔室为不锈钢材质,真空内腔室为全铝质腔室,既满足镀膜的工艺需求,也降低了设备的制造难度和成本,具有很高的性价比;且该结构还可以减少热量外传,从而维持了真空内腔室镀膜工艺所需的温度环境,以及能够对两个腔室进行独立的抽真空,保证真空内腔室中工艺气体的纯度,有利于产品的稳定性和一致性。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top