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[发明专利]一种半片多晶太阳电池的制备方法-CN201811227637.9有效
发明人：朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种半片多晶太阳电池的制备方法。它解决了现有制造方法的步骤过于简单，无法保证半电池片的质量，产品质量差等技术问题。本半片多晶太阳电池的制备方法，包括如下步骤：a、对外购的硅片进行清洗和检测；b、将检验好的硅片放入碱性溶液中进行制绒；c、将石英舟放入扩散炉中进行扩散；d、将扩散好的硅片放入刻蚀机中进行刻蚀；e、将刻蚀好的硅片放入氢氟酸中浸泡；f、将石墨舟放入PECVD装置中进行镀膜；g、将镀膜好的硅片采用丝网印刷的方式进行印刷；h、将印刷好的硅片放入烧结炉中进行烧结；i、将硅片篮放到钝化处理装置中进行钝化；j、将钝化好的电池片通过激光切片机进行切割。本发明具有产品质量好的优点。
一种多晶太阳电池制备方法

[发明专利]一种具有四层减反射膜的太阳电池的制作方法-CN201811227633.0有效
发明人：朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有四层减反射膜的太阳电池的制作方法。它解决了现有太阳能电池板没有相关的制作方法，无法批量制作，制作繁琐等技术问题。本具有四层减反射膜的太阳电池的制作方法，包括如下步骤：a、硅片检测；b、表面制绒；c、扩散制结；d、去磷硅玻璃；e、刻蚀；f、镀膜；g、丝网印刷；h、烧结。本发明具有制作简便的优点。
一种具有减反射膜太阳电池制作方法

[发明专利]一种双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺-CN201710486047.7有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;朱世杰;许布;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺。它解决了现有光伏组件的PID现象较为严重，造成电池片和组件功率出现大幅度下降等技术问题。本双85抗PID多晶太阳能电池片的制作工艺，包括如下步骤：a、将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅片通过臭氧发生装置在晶体硅片表面生成一层1‑2nm的SiO2氧化膜；b、将步骤a中完成的晶体硅片通过装卸片系统装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积；c、将步骤b中完成后的晶体硅片用管式PECVD进行沉积；d、将步骤c中完成后的晶体硅片用管式PECVD进行再次沉积；e、通过装卸片系统对石墨舟的晶体硅片进行冷却，并将晶体硅片取下。本发明具有产品性能好的优点。
一种 85 pid 多晶太阳能电池制作工艺

[实用新型]一种太阳能电池片浆料的配制设备-CN201821713070.1有效
发明人：朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： B01F11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳能电池片浆料的配制设备。它解决了现有搅拌器的结构过于简单，无法使浆料快速搅拌均匀，搅拌速度慢等技术问题。本太阳能电池片浆料的配制设备，包括工作台，工作台上固定有配制箱，配制箱上部具有进料口，进料口处设置有电磁阀一，配制箱下部具有出料口，出料口处设置有电磁阀二，工作台上固定有立柱，立柱上设置有升降座，升降座与一能使其上下移动的驱动结构相连，升降座和连接杆上端相连，连接杆下端伸入到配制箱内与安装板相连，安装板上设置有搅拌机构。本实用新型具有配制快速的优点。
浆料太阳能电池片配制设备配制箱升降座本实用新型安装板出料口电磁阀连接杆立柱配制搅拌机构进料口处快速搅拌驱动结构上下移动搅拌器进料口上端工作台伸入下端

[发明专利]用于多晶太阳电池的改良型烧结设备-CN201810128296.3有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;朱世杰;许布;万光耀;陈珏荣;吴振宏;文长洪 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于多晶太阳电池的改良型烧结设备。它解决了现有烧结设备的结构过于简单，需对排风管和收集槽定期清洗，较容易引起明火，且油污冷凝和累计回落现象比较严重，实用性差等技术问题。本用于多晶太阳电池的改良型烧结设备，包括机架，机架上固定有炉体，机架上设置有抽风机构，抽风机构包括加热箱、防火箱、抽风管和抽风机，加热箱下端和炉体相连通，加热箱上端和防火箱下端相连通，防火箱上端通过连接软管和抽风管一端相连通，抽风管另一端和抽风机的进风口相连通，抽风机的出风口和喷淋机构相连，加热箱内设置有六根电加件，防火箱侧壁上开设有六十个散热孔。本发明具有实用性强的优点。
烧结设备防火箱抽风管抽风机改良型加热箱多晶抽风上端连通炉体相连通回落现象连接软管喷淋机构冷凝出风口进风口排风管散热孔收集槽油污侧壁炉体明火下端加热清洗

[发明专利]一种装卸片系统-CN201710486049.6有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;朱世杰;许布;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种装卸片系统，包括机架，机架中部设置有安装板，安装板与一能带动其上下移动的升降机构相连，安装板上固定有能使石英舟倾斜放置的放置板，机架上部依次设置有供料装置和取放装置。本发明具有操作方便的优点。
一种密栅四主栅太阳能电池及其扩散工艺

[实用新型]一种管式PECVD镀膜装置-CN201821708262.3有效
发明人：朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种管式PECVD镀膜装置。它解决了现有镀膜系统中没有混气结构，容易出现石英管内气体混合不充分，严重影响镀膜的一致性，镀膜不稳定等技术问题。本管式PECVD镀膜装置，包括机座，机座上固定有箱体，箱体内设置有内部具有镀膜腔的双层石英管，双层石英管内固定有感应线圈，双层石英管一端上具有取放口，双层石英管上设置有能将取放口封闭住的盖板，盖板和进气管一端相连通，进气管另一端与送气混合机构相连，进气管上设置有电磁阀一，双层石英管另一端和排气管一端相连通，排气管另一端与真空机构相连，排气管上设置有电磁阀二。本实用新型具有镀膜可靠的优点。
双层石英管进气管排气管镀膜本实用新型盖板电磁阀取放口机座种管连通管式PECVD镀膜送气镀膜系统感应线圈混合机构混气结构气体混合真空机构镀膜腔内固定石英管封闭

[实用新型]一种半片电池片的激光切片机-CN201821704452.8有效
发明人：朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半片电池片的激光切片机。它解决了现有激光划片装置的结构过于简单，无法保证划片机架的清洁度，划片不稳定等技术问题。本半片电池片的激光切片机，包括机架，机架上固定有支架，支架上设置有活动座，活动座与一能带动其来回移动的移动结构一相连，活动座上固定有激光发生器，激光发生器上连接有切割头，切割头上设置有聚光镜，机架上竖直设置有主轴，主轴下端与一能带动其转动的动力结构相连，主轴上端和转动条中部相连，转动条端部固定有放置板，且放置板能位于切割头的正下方，放置板上开设有用于放置电池片的放置槽，机架上还设置有能对放置板进行清理的清理机构。本实用新型具有切片可靠的优点。
电池片放置板活动座切片机半片本实用新型激光发生器激光切割头转动条划片支架激光划片装置清洁度动力结构清理机构竖直设置移动结构放置槽聚光镜上端切片下端切割转动移动保证

[实用新型]一种太阳电池的钝化处理装置-CN201821708265.7有效
发明人：朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太阳电池的钝化处理装置。它解决了现有钝化处理装置中没有上料结构，需要人工上料，操作费力等技术问题。本太阳电池的钝化处理装置，包括机架，机架上固定有箱体，机架上具有用于输送硅片篮的输送线，机架上还设置有上料机构，上料机构包括基座、储料台、转轴、上料桨、警铃、控制器和呈方形的检测板，基座固定在机架上，储料台设置在基座上，转轴竖直设置在机架上，转轴下端与一能带动其转动的动力结构相连，转轴上端和安装条相连，安装条上固定有推杆电机一，推杆电机一的推杆端部和升降块相连，升降块上固定有推杆电机二，推杆电机二的推杆端部和上料桨相连。本实用新型具有操作方便的优点。
钝化处理装置推杆电机转轴本实用新型上料机构推杆端部安装条储料台上料升降警铃动力结构人工上料上料结构竖直设置控制器硅片篮检测板输送线上端下端转动费力

[发明专利]一种太能电池的生产系统-CN201811227620.3在审
发明人：朱金浩;吴国强;许布;刘义德;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太能电池的生产系统。它解决了现有生产系统的结构过于简单，无法连续不间断生产，生产速度慢等技术问题。本太能电池的生产系统，包括底座，底座上设置有清洗装置、制绒装置、扩散装置、刻蚀装置、去PSG装置、PECVD装置、浆料配制装置、印刷装置、钝化处理装置和烧结装置。本发明具有生产速度快的优点。
生产系统电池底座钝化处理装置间断生产浆料配制刻蚀装置扩散装置清洗装置烧结装置印刷装置制绒装置生产

[发明专利]改良的高拉力防隐裂的太阳电池背面银浆的制备方法-CN201711104607.4有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;朱世杰;许布;万光耀;陈珏荣;吴振宏;文长洪 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种改良的高拉力防隐裂的太阳电池背面银浆的制备方法。它解决了现有银浆料应用于硅片表面后，电池片大都处于隐裂状态，导致在拉力测试时硅层会出现大面积脱落，使用寿命短；2、电池片的背极拉力普遍在2.5N等技术问题。本改良的高拉力防隐裂的太阳电池背面银浆的制备方法，包括以下步骤：a、玻璃粉的制备；b、有机粘合剂的制备；c、背面银浆的制备。本发明具有产品性能稳定的优点。
改良拉力防隐裂太阳电池背面制备方法

[发明专利]一种背抛光多晶太阳电池使用的铝浆的制备方法-CN201710815137.6有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;朱世杰;许布;万光耀;陈珏荣;吴振宏;文长洪 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种背抛光多晶太阳电池使用的铝浆的制备方法。它解决了现有铝浆由于烧结温度较高，容易造成背场浆料机械强度不够，以致与基材的密合性下降，烧制后硅基材弯曲度大，形成电极层时背电场发生脱落，铝膜与硅基片之间无法形成良好的欧姆接触，光电转换效率低等技术问题。本背抛光多晶太阳电池使用的铝浆的制备方法，包括以下步骤：a、金属玻璃粉的制备；b、有机粘合剂的制备；c、铝浆制备。本发明具有工艺简单的优点。
一种抛光多晶太阳电池使用制备方法

[发明专利]太阳能电池片的扩散工艺-CN201610318096.5有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;王猛;许布;万光耀;陈珏荣;高非;朱庆庆 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池片的扩散工艺，属于太阳能电池技术领域。它解决了现有技术中的一步扩散法的太阳能电池的转换效率普遍偏低等技术问题。本太阳能电池片的扩散工艺，该工艺包括以下步骤：A、低温沉积；B、变温沉积；C、高温沉积；D、升温；E、高温推结；F、冷却。利用本扩散工艺制作出来的太阳能电池片具有封装损耗低、太阳能电池片转化率高的优点。
太阳能电池扩散工艺

[发明专利]适用于多晶太阳电池三层减反射膜的镀膜工艺-CN201710485376.X有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;朱世杰;许布;陈珏荣 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种适用于多晶太阳电池三层减反射膜的镀膜工艺。它解决了现有制备工艺比较复杂，耗电量大，制备的成本比较高，并且单层氮化硅减反射膜硅太阳能电池的反射率还是很高，返工率也较高等技术问题。本适用于多晶太阳电池三层减反射膜的镀膜工艺，包括如下步骤：a、对晶体硅片进行清洗制绒、扩散和刻蚀；b、将步骤a中完成的晶体硅片通过装卸片系统装到石墨舟上，将其放入管式PECVD进行预沉积和清洗；c、将步骤b中完成的晶体硅片用管式PECVD沉积；d、将步骤c中完成的晶体硅片用管式PECVD再次沉积；e、将步骤d中完成的晶体硅片用管式PECVD再次沉积；f、通过装卸片系统对石墨舟的晶体硅片进行冷却，并将其取下。本发明具有产品性能高的优点。
适用于多晶太阳电池三层减反射膜镀膜工艺

[发明专利]多晶太阳电池的扩散工艺-CN201610326178.4有效
发明人：朱金浩;蒋剑波;王猛;许布;万光耀;陈珏荣;高非;朱庆庆 -专利权人：浙江光隆能源科技股份有限公司
申请日： 2015-01-12 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶太阳电池的扩散工艺，属于太阳能电池技术领域。它解决了现有技术中的一步扩散法的太阳能电池的转换效率普遍偏低等技术问题。本多晶太阳电池的扩散工艺包括A、低温沉积；B、变温沉积；C、高温沉积；D、升温；E、高温推结；F、冷却。利用本工艺制作出来的多晶太阳能电池具有封装损耗低、电池转化率高的优点。
多晶太阳电池扩散工艺

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