[发明专利]制造磁隧道结装置的方法在审
| 申请号： | 201910404401.6 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110504356A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 金晥均;卢恩仙;李俊明;林佑昶;郑峻昊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 自由磁性层 磁隧道结 氧化气体 基底 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁隧道结装置的方法，所述方法包括以下步骤：/n在基底上方形成自由磁性层；/n在自由磁性层上方形成金属层；以及/n通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。/n
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