[发明专利]一种硒化铋基有机插层热电材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910398492.7 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110190177A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 万春磊;宗鹏安;潘伟 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L35/12 | 分类号： | H01L35/12;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于热电材料技术领域的一种硒化铋基有机插层热电材料及其制备方法，该材料结构式为Bi2Se3HAxDMSOy，其中，HA为正己胺(C6H15N)，DMSO为二甲基亚砜(C2H6OS)，0.01≤x≤0.5，0.01≤y≤0.5。本发明以硒化铋单晶为原料，通过锂插层、钠离子交换、正己胺离子交换得到硒化铋有机插层热电材料。有机分子扩大了硒化铋五层原子原胞之间的空间距离，弱化了层间键合，造成了振动模式软化，同时引入声子限制效应，大幅降低了晶格热导率，使硒化铋的热电优值提高约100％。因此，本发明的基于硒化铋的有机插层超晶热电材料是一种具有良好应用前景的热电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化铋 热电材料 有机插层 己胺 制备 材料结构式 二甲基亚砜 晶格热导率 钠离子交换 层间键合 空间距离 离子交换 有机分子 振动模式 锂插层 单晶 热电 声子 原胞 软化 弱化 引入 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硒化铋基有机插层热电材料，其特征在于，所述硒化铋基有机插层热电材料化学结构式为Bi2Se3HAxDMSOy，其中，HA为正己胺(C6H15N)，DMSO为二甲基亚砜(C2H6OS)，0.01≤x≤0.5,0.01≤y≤0.5。
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