[发明专利]反铁电电容器存储器单元在审
申请号: | 201910360831.2 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110556377A | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | D·H·莫里斯;U·E·阿维奇;I·A·扬 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;G11C11/22 |
代理公司: | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 林金朝;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文描述了反铁电(AFE)存储器单元以及对应的方法和装置。例如,在一些实施例中,本文公开的AFE存储器单元包括采用位于两个电容器电极之间的AFE材料的电容器。向这种电容器的一个电极施加电压允许提升另一电极处的电荷,其中,两个电极之间的AFE材料的非线性行为可以有利地彰显其本身,因为假设向第一电极施加给定电压,那么对于提升之前的所述电容器的第二电极上的电荷的不同值而言,在第二电极处的电荷提升的倍数可以是显著不同的。将第二电容器电极连接至存储器单元的存储节点可以允许提升存储节点上的电荷,使得所述存储器单元的不同逻辑状态变得更加清晰可辨,从而实现提高的保持时间。 | ||
搜索关键词: | 存储器单元 电荷 电容器 电容器电极 存储节点 第二电极 电极 电极施加电压 方法和装置 非线性行为 第一电极 给定电压 逻辑状态 反铁电 施加 清晰 | ||
【主权项】:
1.一种存储器单元,包括:/n存储节点,其被配置为存储表示多个逻辑状态之一的电荷;/n第一晶体管,其耦合至所述存储节点并且被配置为控制所述存储节点的充电或放电;/n第二晶体管,其耦合至所述存储节点并且被配置为感测所述存储节点上的电荷;以及/n反铁电(AFE)电容器,其耦合至所述存储节点,所述AFE电容器包括第一电容器电极、第二电容器电极以及处于所述第一电容器电极和所述第二电容器电极之间的AFE材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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