[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201910306368.3 | 申请日: | 2019-04-17 |
公开(公告)号: | CN109801929B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 郑帅;简锦诚;易志根;董波;王青 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/13;G02F1/1362;G03F7/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提出一种阵列基板及其制造方法,涉及液晶显示领域,包括步骤:S1:利用第一半透掩膜版进行图案化并进行烘烤形成在第一叠层和第二叠层,第一叠层和第二叠层均依序为第一透明电极层、栅极和栅极保护层;所述栅极保护层在烘烤时用于防止栅极被氧化;S2:利用第二半透掩膜版形成栅极绝缘层、半导体层、第一接触孔以及第二接触孔;S3:利用掩膜版形成位于源极、漏极以及源漏极连接区;S4:利用第三半透掩膜版形成第一绝缘保护层、第二绝缘保护层、第三接触孔以及第四接触孔;S5:利用掩膜版形成位于第三接触孔和第四接触孔内的公共电极。在减少光罩降低成本的同时也能够很好地解决像素电极退火结晶时栅极金属铜发生氧化的问题。 | ||
搜索关键词: | 接触孔 掩膜版 叠层 半透 绝缘保护层 栅极保护层 阵列基板 烘烤 液晶显示领域 退火 透明电极层 栅极绝缘层 半导体层 公共电极 像素电极 栅极金属 连接区 图案化 源漏极 光罩 漏极 源极 制造 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,阵列基板包括位于中间的像素区和位于边缘的端子区,其特征在于,包括以下步骤:S1:在基板上利用第一半透掩膜版进行图案化形成在像素区的像素电极和第一叠层以及位于端子区的第二叠层,第一叠层和第二叠层均依序为第一透明电极层、栅极和栅极保护层;S2:在步骤S1的基础上利用第二半透掩膜版进行图案化形成栅极绝缘层、半导体层、位于像素电极上的第一接触孔以及位于端子区的第二叠层两侧的第二接触孔,并刻蚀掉端子区的第二叠层的栅极保护层;S3:在步骤S2的基础上利用掩膜版进行图案化形成位于像素区的源极和漏极、以及位于端子区的源漏极连接区,其中漏极位于第一接触孔且漏极与像素电极接触,源漏极连接区位于第二接触孔内且与端子区的栅极接触;S4:在步骤S3的基础上利用第三半透掩膜版进行图案化形成由无机绝缘材料形成的第一绝缘保护层、由有机绝缘材料形成的第二绝缘保护层、位于像素区像素电极上方的第三接触孔以及位于端子区的第四接触孔;S5:在步骤S4的基础上利用掩膜版进行图案化形成位于第三接触孔和第四接触孔内的公共电极;其中,所述第一透明电极层、栅极和栅极保护层制作材料分别为ITO、Cu以及IGZO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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