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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有V族掺杂剂的光伏器件和半导体层以及用于形成该光伏器件和该半导体层的方法-CN201780098268.5在审
发明人： 辛骞骞;曹洪波;S·格罗弗;W·H·休伯;李晓萍;陆定原;R·马利克;彭红樱;J·J·香;熊刚 -专利权人：第一阳光公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：光伏器件（100）能够包括吸收层（160）。吸收层（160）能够p型掺杂有V族掺杂剂并且能够具有大于4x1015cm‑3的V族掺杂剂的载流子浓度。吸收层（160）能够包括吸收层（160）的中心区域中的氧。吸收层（160）能够包括吸收层（160）的中心区域中的碱金属。用于载流子激活的方法能够包括在还原环境（220）中使吸收层（160）暴露于退火化合物。退火化合物（224）能够包括氯化镉和碱金属氯化物。
具有掺杂器件半导体以及用于形成方法

[发明专利]抗硫腐蚀涂层，包括其的物件，及使用其的方法-CN201610934110.4在审
发明人：李下蹊;王世忠;傅琪佳;曹雷;郭明虎;辛骞骞;金益腾;楼晓原;马丁·马修·莫拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C23C4/11 文献下载
摘要：一种抗硫腐蚀涂层，其包括化学式为AB2O4的尖晶石，其中A包括镍，B包括铁、锰、铝、或其任意组合；及，铝磷氧化物。本发明也涉及包括所述抗硫腐蚀涂层的物件以及使用所述抗硫腐蚀涂层的方法。
腐蚀涂层包括物件使用方法

[发明专利]光伏器件及其制造方法-CN201210524534.5有效
发明人：曹金波;蔡钟佑;威廉.H.胡贝尔;辛骞骞;徐晟 -专利权人：第一太阳能马来西亚有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：提出了一种光伏器件。该光伏器件包括第一半导体层、第二半导体层和布置在第一半导体层和第二半导体层之间的夹层，其中，该夹层包括镁。还提出了制造光伏器件的方法。
器件及其制造方法

[发明专利]抗结焦的涂层、有抗结焦涂层的制品以及防止制品结焦的方法-CN201510977017.7在审
发明人：王世忠;傅琪佳;古彦飞;辛骞骞;杰弗里·大卫·迈尔斯;曹雷;张晓;李下蹊;郭玉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C09D1/00 文献下载
摘要：一种抗结焦涂层包括抗结焦催化材料和无机粘结剂，其中，所述无机粘结剂包括磷酸盐、硅酸盐，或者它们的组合。一种覆盖有所述抗结焦涂层的制品、以及一种通过所述抗结焦涂层来保护制品以防其由于暴露在燃料燃烧环境而结焦的方法。
结焦涂层制品以及防止方法

[发明专利]光伏器件及其制备方法-CN201310190090.0有效
发明人：巴斯提安.柯雷法尔;黄群健;金益腾;辛骞骞 -专利权人：第一太阳能马来西亚有限公司
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明涉及光伏器件，其包括支撑层；含有镉、碲、铜，且为n‑型的第一层；含有镉、碲、铜，且为p‑型的第二层；以及透明导电氧化物层。本发明也涉及制备光伏器件的方法，其包括提供具有含镉和碲的层以及在含镉和碲的层上的含铜层的元件；以及将元件加温退火形成分别含有镉、碲、铜的第一层和第二层，第一层为n‑型，第二层为p‑型。
器件及其制备方法

[发明专利]光伏器件及其制造方法-CN201310081706.0有效
发明人：曹金波;威廉.H.胡贝尔;梁勇;徐晟;辛骞骞;蔡钟佑 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开一种光伏器件及其制造方法。该光伏器件包括：缓冲层，设置在透明导电氧化物层上；窗口层，设置在缓冲层上；以及中间层，插设在透明导电氧化物层和窗口层之间。该中间层包括：（i）含有镁和金属类的化合物，其中金属类包括锡、铟、钛或它们的组合；或者（ⅱ）含有镁的金属合金；或者（ⅲ）含有镁和氟的化合物；或者（ⅳ）它们的组合。还给出了制造光伏器件的方法。
器件及其制造方法

[发明专利]通过零距离材料转移沉积形成薄层的方法-CN201210418424.0有效
发明人：金益腾;黄群健;林川;费萨尔.艾哈迈德;辛骞骞 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用来在基体上形成一层材料的方法，该方法包括以下步骤：将具有熔点或最小软化温度的半导体多晶或无定形材料的材料源与基体接触；在一个时间段内使所述材料源和基体之间形成一个温度差，其中，所述材料源的温度处于第一温度范围，其平均温度为第一平均温度，所述基体的温度处于第二温度范围，其平均温度为第二平均温度，所述第一平均温度高于所述第二平均温度，且低于所述半导体多晶或无定形材料的熔点或最小软化温度，使得所述材料源上的一部分半导体多晶或无定形材料转移到所述基体上；以及将所述材料源从所述基体上分开，获得一个表面形成有一层所述半导体多晶或无定形材料的基体。
通过零距离材料转移沉积形成薄层方法

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