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[实用新型]一种噪声抑制电路-CN202123193292.X有效
发明人：王凯;刘笑霖;苏奎任;冯振豪;齐一泓 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H04N5/213 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种噪声抑制电路，包括设有像素阵列的图像传感器，以及明像素，尺寸和电路设计与所述明像素完全一致的暗像素；运算放大器，用于将所述明像素及暗像素的输出电压差分后输出；开关电容电路，其连接于所述明像素输出端、暗像素输出端以及运算放大器之间，用于将光照条件下明像素的输出与非光照条件下暗像素的输出相减后输入运算放大器的正向输入端，同时将非光照条件下暗像素的输出与光照条件下明像素的输出相减后输入运算放大器的反向输入端。本实用新型通过调节采样电容的电容值大小，抑制固定模式噪声，实现运算放大器增益的改变，实现单端转双端的功能，通过运算放大器输出差分信号。
一种噪声抑制电路

[发明专利]一种单端转双端的噪声抑制电路及其图像传感器-CN202111544883.9在审
发明人：王凯;刘笑霖;苏奎任;冯振豪;齐一泓 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H04N5/213 文献下载
摘要：本发明提供了一种单端转双端的噪声抑制电路，包括设有像素阵列的图像传感器，以及明像素，尺寸和电路设计与所述明像素完全一致的暗像素；运算放大器，用于将所述明像素及暗像素的输出电压差分后输出；开关电容电路，其连接于所述明像素输出端、暗像素输出端以及运算放大器之间，用于将光照条件下明像素的输出与非光照条件下暗像素的输出相减后输入运算放大器的正向输入端，同时将非光照条件下暗像素的输出与光照条件下明像素的输出相减后输入运算放大器的反向输入端。本发明还进一步提供了一种图像传感器。本发明通过调节采样电容的电容值大小，抑制固定模式噪声，实现运算放大器增益的改变，实现单端转双端的功能，通过运算放大器输出差分信号。
一种单端转双端噪声抑制电路及其图像传感器

[实用新型]一种用于消除固定图案噪声的图像传感器-CN202121351649.X有效
发明人：王凯;刘笑霖;苏奎任;齐一泓;李前 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H04N5/361 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于消除固定图案噪声的图像传感器，包括：明像素，用于感应入射光并输出模拟图像信号电压；暗像素，其输出电压作为可变增益差分放大电路的参考电压；可变增益差分放大电路，其将暗像素输出的参考电压及明像素输出的信号电压进行差分比较，实现对图像传感器像素阵列中噪声的去除以及明像素所感应到的入射光光强信号的读取；开关电路，与暗像素、明像素及可变增益差分放大电路分别连接，用于控制电路的连通或断开。本实用新型通过黑暗条件下的随机读取暗像素电压与明像素的信号电压进行差分，通过可变增益差分放大电路设计，消除或最大限度降低固定图案噪声，同时读取光强的大小。
一种用于消除固定图案噪声图像传感器

[发明专利]一种用于消除固定图案噪声的电路和图像传感器-CN202110672840.2在审
发明人：王凯;刘笑霖;苏奎任;齐一泓;李前 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H04N5/361 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于消除固定图案噪声的电路，包括：明像素，用于感应入射光并输出模拟图像信号电压；暗像素，其输出电压作为可变增益差分放大电路的参考电压；可变增益差分放大电路，其将暗像素输出的参考电压及明像素输出的信号电压进行差分比较，实现对图像传感器像素阵列中噪声的去除以及明像素所感应到的入射光光强信号的读取；开关电路，与暗像素、明像素及可变增益差分放大电路分别连接，用于控制电路的连通或断开。本发明通过黑暗条件下的随机读取暗像素电压与明像素的信号电压进行差分，通过可变增益差分放大电路设计，消除或最大限度降低固定图案噪声，同时读取光强的大小。本发明还提供一种包含该电路的图像传感器。
一种用于消除固定图案噪声电路图像传感器

[发明专利]一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法-CN201711043955.5有效
发明人：覃东欢;李妙姿;温诗雅;刘笑霖;梅相霖;吴镔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层以及阳极层叠而成。其中阴极为ITO，阴极界面层为ZnO，窗口层为CdSe或CdSexTe1‑x合金薄膜，光活性层由多层CdSexTe1‑x与CdTe薄膜层叠构成，背电极修饰层为MoOx，阳极为Au。其中，光活性层采用CdSexTe1‑x合金纳米晶与CdTe纳米晶构成阶梯结构，相比于传统的异质结太阳电池，更有利于光生载流子的分离、传输和搜集，显著提高器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。
一种高效硒碲化镉合金纳米太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种铜掺杂高效碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法-CN201910210870.4在审
发明人：覃东欢;蔡泽鑫;陈丙昌;徐澳;刘俊宏;刘笑霖 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种铜掺杂高效碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该电池从下而上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层及阳极组成；背电极修饰层为ZnTe薄膜及Cu薄膜。窗口层CdSe纳米晶作为受体材料，CdTe纳米晶作为给体材料，两者构成了阶梯带隙合金结构。本发明创新通过引入ZnTe:Cu界面层，Cu通过ZnTe薄膜对光活性层CdTe纳米晶进行掺杂，与CdTe光活性层形成欧姆接触，有效地降低了背接触势垒，提高CdTe薄膜载流子浓度，提高了光谱响应范围及电池转换效率，显著地提高了器件的性能。本发明提供的纳米晶太阳电池器件，制备成本低、性能好，为纳米晶太阳电池的应用奠定基础。
纳米晶制备碲化镉纳米晶光活性层背电极窗口层铜掺杂修饰层薄膜载流子电池转换效率太阳电池器件阴极阴极界面层给体材料光谱响应合金结构欧姆接触受体材料阳极组成背接触活性层阶梯带界面层有效地衬底势垒掺杂电池玻璃引入应用

[发明专利]一种基于环保型、无毒宽带隙半导体纳米晶缓冲层的碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法-CN201810458715.X在审
发明人：陈妍如;覃东欢;刘笑霖;梅相霖;杨俊峰;吴镔 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于环保型、无毒宽带隙半导体纳米晶缓冲层的碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法，所述太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、缓冲层和阳极依次层叠构成。本发明溶液合成的ZnSe纳米晶能够很好分散在有机溶剂中，并将该溶液采用旋涂的方式形成窗口层，创新性的将宽带隙材料引入太阳电池结构的设计中。通过控制缓冲层的厚度，光活性层的热处理温度和界面处理方式，可以降低界面复合问题，提高太阳电池的器件性能。本发明的器件结构拓宽半导体材料在太阳电池领域的使用功能，可提高ZnSe/CdTe异质结太阳电池的能量转换效率。而且制备工艺简单，制备过程不必在真空环境下完成，大大地减少了制作成本。
缓冲层纳米晶宽带隙半导体碲化镉纳米晶光活性层窗口层环保型制备无毒异质结太阳电池半导体材料阴极能量转换效率太阳电池结构宽带隙材料阴极界面层热处理阳极界面处理界面复合控制缓冲器件结构器件性能溶液合成使用功能依次层叠有机溶剂真空环境制备工艺制备过程创新性衬底旋涂玻璃引入制作

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