[发明专利]AlN模板以及发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201910209256.6 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110098287B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;乔楠;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlN模板以及发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。制造方法包括：在衬底上依次沉积多个AlN子层，得到AlN模板，在远离衬底的方向上，多个AlN子层的沉积温度逐渐增大；其中，在衬底上依次沉积多个AlN子层，包括：沉积一个AlN子层后，中断AlN子层的沉积；在沉积一个AlN子层后的沉积中断时间内，将AlN子层的沉积温度升高；沉积下一个AlN子层。本发明提供的制造方法可以改善形成的AlN薄膜的均匀性，减少AlN薄膜中的压应力，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | aln 模板 以及 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlN模板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在衬底上依次沉积多个AlN子层，得到AlN模板，在远离所述衬底的方向上，多个所述AlN子层的沉积温度逐渐增大；所述在衬底上依次沉积多个AlN子层，包括：沉积一个AlN子层后，中断所述AlN子层的沉积；在沉积一个AlN子层后的沉积中断时间内，将所述AlN子层的沉积温度升高；沉积下一个AlN子层。
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